用4片SRAM或ROM-NOR FLASH为S3C2440设计主存，如何编程读写1个字、1个半字或1个字节？

对于S3C2440主存的编程，通常需要了解以下几个方面的知识：

1. 存储器映射：S3C2440主存的物理地址范围为0x00000000 - 0x3FFFFFFF，但实际上这个地址范围被映射到了不同的存储器芯片上。因此，在编程时需要了解存储器映射的情况，才能正确地访问到所需的存储器。

2. 存储器接口：S3C2440主存支持多种存储器接口，包括SRAM、ROM、NOR FLASH等。在编程时需要了解所使用的存储器接口的特点和限制，才能正确地进行读写操作。

3. 存储器访问方式：S3C2440主存支持字、半字、字节等不同的访问方式。在编程时需要选择合适的访问方式，才能正确地读写数据。

基于以上的几个方面，下面介绍如何编程读写1个字、1个半字或1个字节。

1. 读写1个字（32位）：

假设所使用的存储器是SRAM，并且该存储器映射到地址范围0x30000000 - 0x33FFFFFF。那么，可以按照以下步骤进行读写操作：

读操作：

unsigned int *p = (unsigned int *)0x30000000;  // 定义指针指向起始地址
unsigned int data = *p;                        // 读取1个字

写操作：

unsigned int *p = (unsigned int *)0x30000000;  // 定义指针指向起始地址
unsigned int data = 0x12345678;                // 定义要写入的数据
*p = data;                                     // 写入1个字

2. 读写1个半字（16位）：

假设所使用的存储器是NOR FLASH，并且该存储器映射到地址范围0x08000000 - 0x0BFFFFFF。那么，可以按照以下步骤进行读写操作：

读操作：

unsigned short *p = (unsigned short *)0x08000000;  // 定义指针指向起始地址
unsigned short data = *p;                          // 读取1个半字

写操作：

unsigned short *p = (unsigned short *)0x08000000;  // 定义指针指向起始地址
unsigned short data = 0x1234;                      // 定义要写入的数据
*p = data;                                         // 写入1个半字

3. 读写1个字节（8位）：

假设所使用的存储器是ROM，并且该存储器映射到地址范围0x00000000 - 0x003FFFFF。那么，可以按照以下步骤进行读写操作：

读操作：

unsigned char *p = (unsigned char *)0x00000000;  // 定义指针指向起始地址
unsigned char data = *p;                         // 读取1个字节

写操作：

unsigned char *p = (unsigned char *)0x00000000;  // 定义指针指向起始地址
unsigned char data = 0x12;                       // 定义要写入的数据
*p = data;                                       // 写入1个字节

需要注意的是，在实际的应用中，可能需要对存储器进行初始化、设置访问模式等操作，才能正确地进行读写操作。以上仅是基本的读写操作示例，具体实现还需要根据具体的应用场景进行调整。