"RSQ045N03TR-VB是一款N沟道MOSFET,适用于30V工作电压,具有低导通电阻(RDS(ON)),在10V栅极电压下为30mΩ,4.5V栅极电压下为40mΩ。这款MOSFET设计为TrenchFET®技术,适合高速开关和DC/DC转换器应用。产品符合RoHS指令,并进行了100%的Rg测试。"
RSQ045N03TR-VB MOSFET是N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,主要特点是采用TrenchFET®技术,这是一种先进的制造工艺,能够提供更低的导通电阻,从而在开关操作中降低功耗和提高效率。该器件的最大额定漏源电压(VDS)为30V,意味着它可以在不超过这个电压的电路中安全工作。其低RDS(ON)特性使得在导通状态下的电压降较小,从而在大电流应用中减少能量损失。
在不同栅极电压下,该MOSFET的RDS(ON)有所不同:10V栅极电压时为30mΩ,4.5V栅极电压时为40mΩ。这表明,当栅极电压增加时,导通电阻会降低,允许更大的电流通过。ID的最大连续电流能力在不同温度下也有所变化,例如在25°C和70°C时分别为6A和4.4A,显示了温度对器件性能的影响。
此外,MOSFET的栅源电压极限为±20V,确保了在正常操作条件下的稳定性。脉冲漏电流IDM在300微秒的时间内可达到25A,而连续源漏二极管电流IS在25°C时为2.1A。最大功率损耗(PD)在25°C和70°C时分别为2.5W和1.6W,这限制了MOSFET在特定温度下能承受的最大发热。
RSQ045N03TR-VB还符合RoHS指令2002/95/EC,表明它是无卤素的,符合环保要求。100%的Rg测试确保了器件的可靠性和一致性。在热性能方面,其结壳热阻(θJC)和结板热阻(θJB)的值没有给出,但给出了最大结温(TJ)和存储温度范围(Tstg)为-55°C到150°C。
总结来说,RSQ045N03TR-VB MOSFET是一款高性能、低导通电阻的N沟道MOSFET,适用于需要高效、高速切换的电源管理应用,如DC/DC转换器。其设计考虑了温度影响,符合环保标准,并经过严格的测试,确保了在各种工作环境下的稳定性和可靠性。