英飞凌OptiMOSTM BSZ0901NSI 功率MOSFET技术规格
"BSZ0901NSI是一款由英飞凌Infineon公司生产的电子元器件芯片,属于OptiMOS™ Power-MOSFET系列,具有高性能同步整流器的特点。这款芯片集成了肖特基类似的二极管,并以低导通电阻(RDS(on))在4.5V栅极电压下运行而著称。此外,它通过了100%雪崩测试,表现出卓越的热性能,适用于JEDEC标准的特定应用。该产品采用无铅焊料电镀,符合RoHS和IEC61249-2-21关于卤素含量的规定。" 英飞凌的BSZ0901NSI芯片是一款高性能的N沟道MOSFET,设计用于高效率的降压转换器。集成的单片式肖特基二极管增强了其在同步整流中的性能,减少了电源电路的损耗,从而提高了转换效率。其非常低的导通电阻(RDS(on))在VGS=4.5V时仅为2.1Ω,这在高电流流动时能显著降低功耗。 这款MOSFET的最大额定值是在Tj=25°C时进行的,连续漏极电流ID可达到40A。即使在100°C的温度下,此电流值仍保持不变。脉冲漏极电流ID,pulse在25°C时可高达160A,适合处理瞬时大电流。然而,用户需要注意的是,这些值在实际应用中可能会受到PCB布局和散热条件的影响。 BSZ0901NSI的雪崩电流IAS最大为20A,单脉冲雪崩能量EAS在ID=20A,RGS=25W时可达80mJ,表明其在承受过载或短路情况下具有良好的稳定性。门极源电压VGS的范围是±20V,确保了可靠的开关控制。 封装类型为PG-TSDSON-8(带熔接引脚),便于安装和散热。芯片上的标记为“0901NSI”,表明其具体型号。耐压值VDS为30V,进一步保证了其在各种工作条件下的稳定性。 总体而言,BSZ0901NSI是一款高性能、高可靠性且符合环保要求的电子元件,适合应用于需要高效电源转换的场合,如服务器、通信设备、计算机电源以及其他对功率转换效率有高要求的系统。其低导通电阻和优秀的热特性使得它成为电力电子设计中的理想选择。
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