P沟道20V MOSFET FDN306P-NL-SOT23-3详细参数与应用

"FDN306P-NL是一款由VBsemi生产的P沟道MOSFET，采用SOT23-3封装。该器件的主要特性包括低导通电阻（RDS(ON)）以及适用于不同栅极电压的工作条件。" FDN306P-NL MOSFET是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，设计用于在-20V的漏源电压（VDS）下工作。其关键参数包括： 1. **导通电阻 (RDS(on))**： - 在VGS = -10V时，RDS(on)为35mΩ。 - VGS = -4.5V时，RDS(on)为43mΩ。 - VGS = -2.5V时，RDS(on)上升至61mΩ。导通电阻直接影响了MOSFET在导通状态下的功率损耗。 2. **栅极阈值电压 (Vth)**：-0.81V。这是MOSFET开始导通所需的最小栅源电压。 3. **额定电流 (ID)**： - 在25°C结温下，连续漏电流ID的最大值为-4.5A。 - 当结温升至70°C时，ID的最大值减小到-3.5A。 4. **栅极电荷 (Qg)**：在不同栅极电压下，Qg的典型值为10nC，这会影响开关速度和开关损耗。 5. **封装 (Package)**：FDN306P-NL采用紧凑的SOT23-3封装，适用于表面贴装技术。 6. **热性能**： - 最大结壳热阻(RthJC)：在稳态条件下，从结到脚（漏极）的热阻为40至50°C/W。 - 最大结到环境热阻(RthJA)：在5秒脉冲条件下，典型值为75°C/W，最大值为100°C/W。这决定了MOSFET在高功率应用中的散热能力。 7. **绝对最大额定值**： - 漏源电压VDS不能超过-20V。 - 栅源电压VGS的极限为±12V。 - 连续漏电流ID在TJ=150°C时的最大值为-5mA，在不同结温下有所不同。 - 脉冲漏电流IDM的最大值为-18A。 - 持续源漏二极管电流IS为-2.1mA。 - 最大功率耗散PD在25°C时为2.5W，不同结温下也有所降低。 8. **工作与储存温度范围**：TJ和Tstg的范围是-55°C至150°C。 9. **特色**：这款MOSFET符合IEC61249-2-21标准，无卤素，对环保友好。 FDN306P-NL MOSFET适用于需要高效能、低功耗和小型封装的应用，如电源管理、信号切换、马达驱动等。其低RDS(on)使其在需要快速开关和低损耗的电路中表现优异。同时，其紧凑的SOT23封装有利于节省PCB空间。