E2P102L-VB:SOP8封装双P-Channel MOSFET,低RDS(on)高效能
"E2P102L-VB是一款由VB Semiconductor推出的SOP8封装的双P-Channel场效应MOSFET。该器件具备低电阻、高效能和环保特性,适用于负载开关等应用。其主要特点包括无卤素、采用TrenchFET功率MOSFET技术以及100%UIS测试。关键参数包括:最大漏源电压VDS为-30V,栅源电压VGS为±20V,当VGS为-10V时的导通电阻RDS(on)为35mΩ,阈值电压Vth为-1.5V。此外,该MOSFET在25°C环境温度下可连续通过的最大电流ID为-7.3A,且具有低栅极电荷Qg(17nC)。绝对最大额定值和热性能也做了详细规定。" E2P102L-VB是一款双通道P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其封装形式为SOP8。这种器件的设计和制造采用了TrenchFET技术,这是一种先进的沟槽型结构,能提供更小的尺寸和更低的导通电阻,从而提高效率并降低功耗。其无卤素的特性符合当前环保要求,使得该MOSFET适用于对环保有要求的电子设备中。 在电气特性方面,E2P102L-VB的两个P-Channel MOSFET的最大漏源电压VDS为-30V,意味着它们可以在最高30V的反向电压下工作。栅源电压VGS的典型值为±20V,表明其工作电压范围宽泛。在VGS = -10V时,导通电阻RDS(on)仅为35毫欧,这在高电流传输时能显著减少功率损失。阈值电压Vth设定为-1.5V,决定了MOSFET开始导通的电压点。 这款MOSFET在25°C下可以连续通过的最大漏极电流ID为-7.3A,而脉冲漏极电流DM和连续源漏二极管电流IS也有明确的规格限制,确保了其在不同工作条件下的稳定性。此外,其热性能参数如最大功率损耗PD和热阻抗RθJC等,对于控制器件的发热和散热非常重要,以防止过热导致的性能下降或损坏。 在应用方面,E2P102L-VB特别适合用作负载开关,因为它的低RDS(on)和高电流处理能力能够有效地控制和切换大电流负载。同时,由于经过100%UIS测试,该器件在过电压情况下的安全性得到了保障,增强了系统整体的可靠性。 总体而言,E2P102L-VB是一款高性能、低功耗、环保的P-Channel MOSFET,适用于需要高效率和可靠性的电源管理方案,特别是那些需要精确控制电流和电压的电路设计。
下载后可阅读完整内容,剩余8页未读,立即下载
- 粉丝: 7718
- 资源: 2417
- 我的内容管理 展开
- 我的资源 快来上传第一个资源
- 我的收益 登录查看自己的收益
- 我的积分 登录查看自己的积分
- 我的C币 登录后查看C币余额
- 我的收藏
- 我的下载
- 下载帮助
最新资源
- 高效办公必备:可易文件夹批量生成器
- 吉林大学图形学与人机交互课程作业解析
- 8086与8255打造简易乒乓球游戏机教程
- Win10下C++开发工具包:Bongo Cat Mver、GLEW、GLFW
- Bootstrap前端开发:六页果蔬展示页面
- MacOS兼容版VSCode 1.85.1:最后支持10.13.x版本
- 掌握cpp2uml工具及其使用方法指南
- C51单片机星形流水灯设计与Proteus仿真教程
- 深度远程启动管理器使用教程与工具包
- SAAS云建站平台,一台服务器支持数万独立网站
- Java开发的博客API系统:完整功能与接口文档
- 掌握SecureCRT:打造高效SSH超级终端
- JAVA飞机大战游戏实现与源码分享
- SSM框架开发的在线考试系统设计与实现
- MEMS捷联惯导解算与MATLAB仿真指南
- Java实现的学生考试系统开发实战教程