61LV51216高速同步CMOS静态RAM数据手册

61LV51216是一款高性能的静态随机存取存储器(SRAM)，由Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造。该芯片以其高速存取时间为显著特点，支持8纳秒、10纳秒和12纳秒的不同速度等级，满足不同应用对数据传输速度的需求。它采用先进的CMOS工艺设计，能够在低功耗模式下运行，标准的CMOS待机状态下电流消耗低于5毫安（典型值），这对于能源效率极其重要。 该器件具有TTL兼容的接口水平，这意味着它能够与各种传统电路无缝集成，无需额外的适配步骤。它仅需单个3.3伏电源供电，这简化了系统设计，减少了外部组件的需求。特别地，61LV51216是完全静态操作的，无需时钟或刷新信号，从而提高了整体系统稳定性。 在控制方面，它提供了数据控制功能，可以分别针对上半部分和下半部分字节进行独立操作，增加了灵活性。此外，这款产品还支持工业级别的温度范围，确保在恶劣环境下也能稳定工作。对于环保考虑，它也支持无铅封装选项，符合现代绿色电子的趋势。 这款61M位（8M x 16位）SRAM适用于对高速度、低功耗和易用性有高要求的应用，如嵌入式系统、通信设备或者需要频繁数据交换的处理器。在使用前，用户强烈建议获取最新的规格文档，以确保获取最新信息并避免因技术更新导致的设计问题。61LV51216是一个高效且可靠的存储解决方案，值得在设计时考虑。