英飞凌OptiMOSTM BSZ0904NSI 功率MOSFET技术规格
"BSZ0904NSI是一款由英飞凌科技(INFINEON)制造的电子元器件芯片,属于OptiMOS™系列的Power-MOSFET。这款芯片具有集成化的单片肖特基样二极管,特别优化用于高效率的降压转换器。其主要特性包括非常低的开启电阻(RDS(on)),在VGS=4.5V时表现出色,100%通过雪崩测试,具备卓越的热阻性能,并且符合JEDEC的相关标准,无铅、符合RoHS和卤素免费的要求。" BSZ0904NSI是一款N沟道功率MOSFET,适用于需要高效能、低损耗的电源管理应用。其关键参数包括: 1. **连续漏极电流(ID)**:在不同温度和栅极电压条件下,BSZ0904NSI的最大连续漏极电流为40A,保证了在满载运行时的稳定性和可靠性。 2. **栅源电压(VGS)**:允许的最大栅源电压为±20V,这确保了开关操作的有效性和控制精度。 3. **开启电阻(RDS(on))**:这是衡量MOSFET导通状态下的电阻,低的RDS(on)意味着在导通状态下损耗更小,效率更高。BSZ0904NSI的最大RDS(on)为4.0Ω,这在同类产品中是相对较低的,适合高效率的电源设计。 4. **脉冲漏极电流(ID,pulse)**:在特定条件下,芯片可承受的脉冲漏极电流高达160A,这使得它在短时大电流需求的应用中也能胜任。 5. **雪崩电流和能量**:BSZ0904NSI能够承受单脉冲20A的雪崩电流,以及在ID=20A和RGS=25W时20mJ的雪崩能量,这意味着它具有良好的浪涌保护能力。 6. **封装和标识**:该芯片采用PG-TSDSON-8(熔接引脚)封装,其表面标记为0904NSI。这种封装有助于提高散热性能,适应高功率应用的需求。 7. **额定电压(VDS)**:BSZ0904NSI的额定漏源电压为30V,这决定了它可以安全处理的电压范围。 英飞凌的这款OptiMOS™ Power-MOSFET BSZ0904NSI因其低损耗、高效率和可靠性,广泛应用于电源转换系统,如开关电源、直流-直流转换器等,特别是在对能效有严格要求的领域,如数据中心、服务器、汽车电子和消费类电子产品。其符合JEDEC标准和环保要求,使其成为现代电子设计的首选组件之一。
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