英飞凌SPW55N80C3 CoolMOS™C3 MOSFET技术规格手册

"SPW55N80C3是英飞凌（INFINEON）公司的一款800V CoolMOS™ C3 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于工业领域的高压直流应用和开关应用，如主动钳位前向转换器。这款芯片具备革命性的高电压技术，能承受极端的dv/dt速率，拥有高峰值电流能力，并且符合JEDEC标准，适用于目标应用。此外，它还符合无铅和RoHS指令，具有超低栅极电荷和超低有效电容。该MOSFET主要应用于PFC（功率因数校正）阶段、硬开关PWM（脉宽调制）阶段和谐振开关PWM阶段，常见于PC电源、适配器、LCD及PDPTV、照明设备、服务器、电信、UPS和太阳能系统等。关键性能参数包括：最大漏源电压为850V，典型栅极电荷为288nC，脉冲电流为150A，400V时的开关损耗为21.5μJ，以及100A/μs的体二极管di/dt速率。" 英飞凌的SPW55N80C3是一款高性能的MOSFET，其核心技术在于800V CoolMOS™ C3结构，这种技术使得器件在高电压环境下仍能保持优秀的性能。MOSFET是一种利用金属-氧化物-半导体结构控制电流流动的场效应晶体管，它的主要优势在于其开关特性，即可以通过改变栅极电压来开启或关闭电流流动，而无需在栅极和源极之间有电流。 这款MOSFET的RDS(on)，max参数表示在开启状态下，漏源间的电阻最大值为0.085欧姆，这是一项衡量MOSFET导通电阻的关键指标，较低的RDS(on)意味着更低的导通损耗。Qg,typ参数是栅极电荷的典型值，代表在开关过程中，驱动电路需要提供的电荷量，288nC的值表明其开关速度快，能减少开关过程中的能量损失。 ID,pulse参数定义了MOSFET在脉冲模式下可承受的最大电流，150A的值表明其在短时间内可以处理大电流。Eoss@400V是开关损耗，在400V时，这个值为21.5μJ，反映了MOSFET在开关操作时的能量损耗。 体二极管di/dt是衡量MOSFET体二极管反向恢复时电流变化速率的能力，100A/μs的数值意味着在快速开关场景下，体二极管能提供稳定的工作性能，减少电压尖峰和电磁干扰。 SPW55N80C3是一款适用于高效率电源转换和工业应用的高性能MOSFET，其设计考虑了高电压、高速开关和低损耗的需求，确保在各种电力电子系统中实现高效、可靠的运行。