"SPW55N80C3是英飞凌(INFINEON)公司的一款800V CoolMOS™ C3 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于工业领域的高压直流应用和开关应用,如主动钳位前向转换器。这款芯片具备革命性的高电压技术,能承受极端的dv/dt速率,拥有高峰值电流能力,并且符合JEDEC标准,适用于目标应用。此外,它还符合无铅和RoHS指令,具有超低栅极电荷和超低有效电容。该MOSFET主要应用于PFC(功率因数校正)阶段、硬开关PWM(脉宽调制)阶段和谐振开关PWM阶段,常见于PC电源、适配器、LCD及PDPTV、照明设备、服务器、电信、UPS和太阳能系统等。关键性能参数包括:最大漏源电压为850V,典型栅极电荷为288nC,脉冲电流为150A,400V时的开关损耗为21.5μJ,以及100A/μs的体二极管di/dt速率。"
英飞凌的SPW55N80C3是一款高性能的MOSFET,其核心技术在于800V CoolMOS™ C3结构,这种技术使得器件在高电压环境下仍能保持优秀的性能。MOSFET是一种利用金属-氧化物-半导体结构控制电流流动的场效应晶体管,它的主要优势在于其开关特性,即可以通过改变栅极电压来开启或关闭电流流动,而无需在栅极和源极之间有电流。
这款MOSFET的RDS(on),max参数表示在开启状态下,漏源间的电阻最大值为0.085欧姆,这是一项衡量MOSFET导通电阻的关键指标,较低的RDS(on)意味着更低的导通损耗。Qg,typ参数是栅极电荷的典型值,代表在开关过程中,驱动电路需要提供的电荷量,288nC的值表明其开关速度快,能减少开关过程中的能量损失。
ID,pulse参数定义了MOSFET在脉冲模式下可承受的最大电流,150A的值表明其在短时间内可以处理大电流。Eoss@400V是开关损耗,在400V时,这个值为21.5μJ,反映了MOSFET在开关操作时的能量损耗。
体二极管di/dt是衡量MOSFET体二极管反向恢复时电流变化速率的能力,100A/μs的数值意味着在快速开关场景下,体二极管能提供稳定的工作性能,减少电压尖峰和电磁干扰。
SPW55N80C3是一款适用于高效率电源转换和工业应用的高性能MOSFET,其设计考虑了高电压、高速开关和低损耗的需求,确保在各种电力电子系统中实现高效、可靠的运行。