SanDisk 19nm 64Gb 4LC NAND闪存技术规格

"19nm_1plane_64gb_4lc_legacy_toggle_mode_nand.pdf" 该文档涉及的是SanDisk公司的一款19纳米工艺、单层平面设计的64千兆字节（Gb）四层次单元（4LC）的闪存芯片，其特色在于支持传统的Toggle模式NAND接口。SanDisk的这款产品主要关注于存储解决方案，适用于各种应用领域。 首先，19nm工艺技术是芯片制造中的一个关键指标，它代表了闪存芯片的制造节点，即晶圆上的特征尺寸。在2013年，19nm是当时最先进的技术之一，能够提供更高的存储密度和能效，但同时也带来了制造上的挑战，如数据保持性、错误率和寿命管理。 1-Plane表示这款芯片采用单层设计，意味着所有的存储单元都位于同一层中。相比于多层设计，单层设计可能在成本和性能之间找到平衡，适合特定的应用场景，例如对成本敏感或对读写速度要求不那么高的产品。 4LC，即四层次单元，是指每个闪存存储单元可以存储4位数据，相比传统的1位（SLC）、2位（MLC）和3位（TLC）技术，4LC提供了更高的存储密度，但牺牲了部分耐用性和读写速度。4LC NAND适合那些需要大量存储空间而对性能要求相对较低的应用。 Toggle Mode NAND是一种接口协议，它定义了如何快速地与NAND闪存芯片进行通信，包括读取、写入和擦除操作。Toggle模式相对于其他接口如SPI或ONFI，具有更快的数据传输速率，但可能需要更复杂的控制器来管理。 营销部分列出了TSOP封装的两个型号：SDTNQFAMA-008G和SDTNQFBMB-016GA，以及SDTNQFAMA-008GA。TSOP（Thin Small Outline Package）是一种常见的封装形式，适用于内存和存储器件，提供了一种节省空间的封装选项，便于在主板上安装。 文档特别强调，客户在使用此规格的设备时，需自行负责符合安全、环保、出口、贸易等相关法律法规，并且对于医疗、航空、核能或高风险应用，以及可能导致财产损失、人身伤害或死亡的应用，客户需独自承担所有责任。此外，所有规格都可能在不预先通知的情况下变更。 最后，文档修订日期为2013年5月1日，版本为1.7，表明这是一个经过多次更新的技术规格，反映了SanDisk对产品质量和技术创新的持续关注。