英飞凌INFINEON IPP016N06NF2S MOSFET中文规格与关键参数

"IPP016N06NF2S是英飞凌公司推出的一款强效IRFET TM2型功率晶体管，该器件专为广泛的工业应用设计，具有以下主要特点： 1. 特性优化：该MOSFET采用N通道设计，工作在正常电平，特别适合于那些对电流密度和开关性能有较高要求的应用。 2. 卓越性能： - 最大漏极电压（VDS）：60V，确保了器件在高压电路中的稳定工作。 - 最大集电极耗散功率（RDS(on)）：1.6mΩ，表明它具有出色的导通电阻，有利于降低功率损耗。 - 最大集电极电流（ID）：194A，体现了强大的电流处理能力。 - 二次击穿电荷（Qoss）：153nC，保证了快速开关过程中的高可靠性。 - 钳位电荷（QG）：155nC，对于抑制电压尖峰和保护电路至关重要。 3. 环保与合规性：产品采用无铅封装，并符合RoHS标准，同时按照IEC61249-2-21标准实现了无卤化物，体现了对环境友好的设计。 4. 产品认证：已经通过JEDEC标准的验证，确保了产品的高质量和一致性。 5. 封装形式：该器件采用PG-TO220-3封装，提供良好的散热能力和机械稳定性。 6. 标识与文档：型号为016N06NS，文档包括描述、最大额定值、热电性能、电气特性和图表，以及包装细节、修订历史、商标声明和免责声明等。 7. 版本信息：当前版本为Rev. 2.1，发布日期为2022年5月16日，为最终数据手册。 8. 章节内容：手册分为描述、最大限制参数、热性能、电气性能、电气特性曲线图、包装示意图、修订记录、商标声明和法律免责声明等多个部分，全面涵盖了用户所需的所有技术信息。 IPP016N06NF2S是一款高效、可靠且环保的功率晶体管，适用于多种工业级应用场合，提供了详尽的技术参数和性能指标，确保了使用者在设计和使用过程中能够充分了解和利用其性能优势。"