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集成电路制造技术——原理与工艺----第三章外延
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更新于2023-03-03
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集成电路制造技术——原理与工艺----第三章外延 3.1 概述 3.2 气相外延 3.3 分子束外延 3.4 其它外延 3.5 外延层缺陷及检测
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第 3 章 外延
(Epitaxy)
微电子工艺
田 丽

3.1 概述
3.1.1 外延概念
在微电子工艺中,外延 (epitaxy) 是指在单
晶衬底上,用物理的或化学的方法,按衬底
晶向排列(生长)单晶膜的工艺过程。
新排列的晶体称为外延层,有外延层的硅片
称为(硅)外延片。
与先前描述的单晶生长不同在于外延生长温
度低于熔点许多
外延是在晶体上生长晶体,生长出的晶体的
晶向与衬底晶向相同,掺杂类型、电阻率可
不同。 n/n
+
, n/p , GaAs/Si 。
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