4Gb DDR3 SDRAM: H5TQ4G63AFR Datasheet Overview

"H5TQ4G63AFR是一款4Gb CMOS Double Data Rate III (DDR3)同步动态随机存取存储器(DRAM)，适用于需要大内存密度和高带宽的主要内存应用。该器件提供了完全同步的操作，时钟的上升沿和下降沿都被用作参考。地址和控制输入在时钟的上升沿（下降沿）被锁存，数据、数据 strobes 和写数据掩码输入在时钟的上升沿和下降沿都被采样。数据路径内部采用了流水线和8位预取技术，以实现非常高的带宽。此外，该器件符合RoHS标准，无铅且无卤素。" 本文档详细介绍了SK海力士的H5TQ4G43AFR-xxC、H5TQ4G83AFR-xxC和H5TQ4G63AFR-xxC系列4Gb DDR3 SDRAM的主要特性、功能以及订购信息。这些设备的主要特点是工作电压VDD和VDDQ为1.5V±0.075V，采用完全差分时钟输入，确保了高速、低噪声的信号传输。 DDR3 SDRAM的关键优势在于其双倍数据速率（DDR），这意味着它在时钟的每个边沿（上升和下降）都能传输数据，相比于传统的单边沿触发的SDRAM，显著提升了数据传输速率。通过内部的流水线和8位预取设计，这些设备能够处理大量的数据流，适合高性能计算和图形处理等对带宽需求极高的应用。 文档的修订历史部分显示，此文档的初始版本发布于2012年10月，而1.0版本在2013年4月发布，这表明制造商可能在此期间进行了若干次更新和优化，以确保产品规格的准确性和适应性。 在订购信息中，用户可以找到关于这些设备的具体功能和选择合适的型号。例如，VDD和VDDQ的电压要求、封装类型、温度范围等都会影响到设备在特定系统中的兼容性和性能表现。 H5TQ4G63AFR系列4Gb DDR3 SDRAM是高性能计算平台的理想选择，其高效的数据传输能力和高密度内存设计满足了现代电子设备对内存容量和速度的高要求。同时，考虑到环保因素，它们遵循RoHS标准，不含铅和卤素，符合绿色电子产品的要求。