ST2300S23RG-VB是一款由STMicroelectronics生产的高性能N沟道SOT23封装MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的TrenchFET®技术,具有低阻值的RDS(on)特性,使其在开关和功率管理应用中表现出色。
该MOSFET的主要特点包括:
1. **环保设计**:符合IEC 61249-2-21标准,不含卤素,对环境友好。
2. **性能指标**:
- **耐压**:最大 Drain-Source Voltage (VDS) 为20V,确保了在高压环境下稳定工作。
- **阈值电压**:在不同栅极源电压(VGS)下,例如典型值下,当VGS=4.5V时,RDS(on)约为0.028Ω。
- **电流能力**:
- 连续工作电流(在TJ=150°C条件下):在室温(TC=25°C)下可达6A,在高温(TC=70°C)下略有降低。
- Pulsed Drain Current (IDM) 在20A,满足脉冲电流需求。
- **内部电荷存储**:Qg(Typ.) 分别为8.8nC和0.050nC,对于快速开关操作十分重要。
3. **热管理**:
- **功率处理**:在正常操作条件下的最大功耗(PD)为2.1W,但当温度升高时,如TC=70°C,功率消耗有所降低。
- **温度范围**:适用于宽广的工作温度范围,从-55°C到150°C,包括操作温度(TJ)和存储温度(Tstg)。
4. **封装及应用**:
- **封装形式**:SOT-23封装,占用空间小,适合于紧凑型电路设计。
- **应用领域**:广泛应用于DC/DC转换器和便携式设备中的负载开关等高效率电源管理方案。
5. **注意事项**:
- 部分参数受包装限制,例如最大连续源漏电流IS在不同温度下有所不同。
- 推荐的焊接温度峰值。
ST2300S23RG-VB是一个高效、小型化且符合环保标准的MOSFET,适合在各种对功耗和电流控制有较高要求的电子设备中使用,尤其在便携式设备和电源转换电路中展现出卓越的性能。在选择和使用时,务必注意其工作条件下的温度限制和推荐的焊接工艺。