"FDS9958-NL-VB-MOSFET是一款双P沟道 MOSFET,具有-60V的额定 Drain-Source 电压和低阻特性,如RDS(ON)在10V时为58mΩ,在4.5V时为70mΩ。该器件适用于负载开关应用,并采用SOP8封装。其特点包括无卤素设计、TrenchFET功率MOSFET技术和100%UIS测试。"
"FDS9958-NL MOSFET的主要特性包括:
1. **无卤素** - 这意味着它不含卤素元素,符合环保要求。
2. **TrenchFET技术** - 这是意法半导体(STMicroelectronics)的专利技术,通过沟槽结构提高MOSFET的性能,减小了芯片尺寸并降低了导通电阻,从而提高了效率。
3. **100%UIS测试** - 意味着每个器件都经过了用户绝缘系统测试,确保了在高电压情况下的安全性和可靠性。
在**应用方面**,FDS9958-NL MOSFET常用于**负载开关**,这表明它适合控制电路中的电流,例如在电源管理或电机控制中。
**参数概览**:
- **VDS(V)**:-60V,是MOSFET允许的最大 Drain-Source 电压。
- **RDS(ON)(Ω)**:在10V Gate-Source 电压下,RDS(ON)为58mΩ,而在4.5V时为70mΩ,这表示低导通电阻,意味着在导通状态下的功率损失较小。
- **ID(A)**:连续 Drain 电流在不同温度和电压下有所不同,最高可达-5.3A。
- **Qg(Typ.)**:总栅极电荷,17nC @ VGS=-10V 和 9nC @ VGS=-4.5V,这影响了开关速度和开关损耗。
- **Avalanche Current (IAS)** 和 **Avalanche Energy (EAS)** 提供了关于器件承受雪崩击穿的能力,这对于防止过载情况下的器件损坏至关重要。
**绝对最大额定值**:
- **VDS**:-60V
- **VGS**:±20V
- **ID**:在不同温度下有不同限制,最高为-5.3A。
**热性能**:
- **Thermal Resistance**:提供了从芯片到环境的散热能力,如RthJA,影响了器件在高温工作条件下的稳定性。
**工作和存储温度范围**:
- **TJ, Tstg**:-55°C至150°C,保证了器件在广泛温度范围内的可靠运行。
FDS9958-NL MOSFET是一个高性能、低功耗的双P沟道MOSFET,适用于需要高效能和可靠性的负载开关应用。其低RDS(ON)和良好的热管理特性使其成为电源管理和控制电路的理想选择。"