WOM代码与闪存页面重用：性能与耐久性分析

"这篇学术论文深入探讨了基于Write-Once Memory (WOM)代码的闪存页面重用分析，重点关注其在多级单元(NAND)闪存中的应用，以及这对固态驱动器(SSD)的耐用性和能效的影响。文章指出，由于闪存单元的擦除操作导致的磨损是主要问题，而WOM代码作为一种解决方案，允许在一次写入介质上进行额外的写入。然而，当前的方法在页面重用技术上存在局限性，多数研究要么专注于编码理论，要么提出的FTL(Flash Translation Layer)设计不适用于实际应用或有特定限制。 作者通过硬件评估设置直接测量了页面重用对SSD耐用性和能耗的短期与长期效应，强调FTL设计必须考虑这些影响。论文提出了一个详尽的分析模型，用于确定最佳的垃圾收集策略，以优化具有WOM代码的FTL设计，并预测在实际硬件和工作负载条件下的重用效益。 论文涵盖了几个关键概念，包括信息系统中的闪存、硬件的老化和存储系统，以及软件工程中的二级存储。此外，还提到了WOM代码、NAND闪存、FTL、SSD和离线分析等附加关键词。这项研究得到了美国-以色列两国科学基金会和美国国家科学基金会的资助。 引用格式：Gala Yadgar, Eitan Yaakobi, Fabio Margaglia, Yue Li, Alexander Yucovich, Nachum Bundak, Lior Gilon, Nir Yakovi, Assaf Schuster, and André Brinkmann. 2018. 基于WOM代码的Flash页面重用分析。ACM Transactions on Storage 14, 1, 第10条（2018年2月），39页。DOI: 10.1145/3177886." 此研究揭示了WOM代码在减少闪存单元磨损方面的潜力，同时也强调了在设计FTL时必须综合考虑页面重用策略，以确保SSD的性能和寿命。这为未来闪存技术的优化和改进提供了理论基础和实证数据支持。