"TF3622规格书.pdf" 本文将详细介绍TF3622这款功率MOSFET,它是一款采用先进沟槽技术设计的半导体器件,具备优秀的RDS(ON)性能、低栅极电荷,并能在低至2.5V的门电压下工作。TF3622适用于电池保护以及其它开关应用。 1. 技术特性: - 耐压与电流能力:TF3622具有30V的漏源电压(VDS)能力和25A的连续漏极电流(ID)。其脉冲漏极电流(IDM)可以达到75A,表明该器件在短时间内能承受较大的峰值电流。 - 低导通电阻:在10V的栅极电压(VGS)下,RDS(ON)仅为12mΩ,而在4.5V的VGS下,RDS(ON)为16mΩ。低导通电阻意味着在导通状态下器件的功耗低,能提高效率。 - 高功率与电流处理能力:适合高功率和大电流的应用场景。 - 无铅制造:符合环保标准,是无铅产品。 2. 应用领域: - 电池开关:TF3622常用于电池管理系统,以保护电池免受过充或过放的影响。 - 直流/直流转换器:在电源管理中,TF3622可作为开关元件,用于电压转换和调节。 3. 绝对最大额定值: - 漏源电压(VDS):30V - 栅源电压(VGS):±20V - 连续漏极电流(ID):25A - 脉冲漏极电流(IDM):75A - 最大功率损耗(PD):3.5W - 工作及存储温度范围:-55℃到150℃ 4. 热性能: - 结到环境的热阻(RθJA):35℃/W,表示器件在环境温度为25℃时,每瓦功耗会使芯片温度上升35℃。 5. 电气特性(TA=25℃): - 漏源间击穿电压(BVDSS):在VGS=0V且ID=250μA时,BVDSS应大于30V,这是器件能够承受的最大反向电压。 - 零栅极电压:当栅极电压为0时,器件处于截止状态,具有良好的隔离性。 TF3622的电路图中,D1、G1和S1分别代表漏极、栅极和源极,它们是MOSFET的基本引脚。该器件的这些特性使其成为高效、可靠电源管理和电池保护的理想选择。在实际应用中,正确理解和利用这些参数可以确保TF3622在系统中的稳定工作。
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