AP0603GH-VB：N沟道30V TrenchFET MOSFET应用与规格

"AP0603GH-VB是一款N沟道30V(T-D)MOSFET，采用TO252封装，适用于OR-ing、服务器及DC/DC转换等应用。这款MOSFET是TrenchFET功率MOSFET，具有100%的Rg和UIS测试，并符合RoHS 2011/65/EU指令。" AP0603GH-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于处理较高的电流和电压。其关键特性包括： 1. **TrenchFET技术**：这种技术利用沟槽结构来减小导电通道的电阻，从而在相同尺寸下提供更低的导通电阻(RDS(on))，提高效率并降低发热。 2. **RDS(on)**：在VGS=10V时，其典型RDS(on)仅为0.002欧姆，这意味着在导通状态下，器件的内部电阻非常低，能有效地传导大电流。 3. **额定电流和电压**：AP0603GH-VB能够承受高达30V的源漏电压(VDS)，并且在25°C下连续工作时的最大额定电流ID为100A。温度上升到70°C时，电流降至80A。 4. **热性能**：该器件的热特性优秀，最大功率耗散(PD)在25°C时为235W，在70°C时为165W。这得益于其良好的散热设计，允许在高功率应用中稳定工作。 5. **封装**：TO252封装是一种表面贴装型封装，适合大规模生产和自动化组装，同时提供了良好的散热能力。 6. **安全规定**：MOSFET经过100%的Rg和UIS测试，确保了其在各种工作条件下的可靠性和安全性。此外，它符合欧盟的RoHS指令，表明它是无铅和环保的。 7. **应用范围**：AP0603GH-VB适合用作OR-ing电路，服务器电源管理，以及DC/DC转换器中的开关元件，这些应用场景通常需要高效能、低损耗的开关器件。 8. **极限值**：在25°C时，栅极-源极电压(VGS)的最大值为±20V，而连续源漏电流(IS)在相同条件下可达90A。此外，短脉冲的漏源电流(IDM)可以达到300A，而单脉冲雪崩能量(EAS)为94.8mJ。 AP0603GH-VB是一款适用于高功率应用的N沟道MOSFET，其低RDS(on)、良好的热管理和广泛的额定值使其成为电源管理、开关和保护电路的理想选择。