2SK2742-VB:100V N沟道TrenchFET MOSFET应用
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更新于2024-08-03
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"2SK2742-VB是一款N沟道SOT89-3封装的MOSFET,适用于DC/DC转换器、升压转换器、负载开关、LCD电视LED背光以及移动计算设备的电源管理。"
2SK2742-VB是一款由TrenchFET技术制造的N沟道功率MOSFET,其主要特点包括低电阻、高效率和严格的测试标准,如100%的Rg和UIS测试。这款MOSFET设计用于在各种应用中提供高效能和可靠的开关性能。
在电气特性方面,2SK2742-VB的额定漏源电压(VDS)为100V,典型条件下的栅极阈值电压(VGS)为10V时,漏源导通电阻(RDS(on))仅为0.102欧姆。其电流处理能力根据不同温度条件有所不同,例如,在25°C时,连续漏极电流(ID)可以达到4.2A,而在70°C时,该值降至3.5A。此外,它具有低栅极电荷(Qg),在VGS=10V时为2.9nC,这有助于快速开关操作。
绝对最大额定值是设计电路时必须考虑的重要参数。2SK2742-VB的漏源电压最大为100V,栅极源电压为±20V。在特定条件下,如结温为150°C时,连续漏极电流的最大值为4.2A。脉冲漏极电流(IDM)在300微秒脉宽下可达15A,而连续源漏二极管电流(IS)在25°C时为2.1A。此外,这款MOSFET能承受单脉冲雪崩电流(IAS)为3A,单脉冲雪崩能量(EAS)为0.45mJ。
在散热性能方面,最大功率耗散(PD)在25°C时为2.5W,但随着温度上升,该值会降低,如在70°C时为1.6W。操作和储存的结温范围广泛,从-55°C到150°C,确保了在各种环境温度下的稳定工作。
2SK2742-VB是一种高性能的N沟道MOSFET,适用于需要高效、低损耗和小型封装的电源管理应用。它的设计和规格使其成为DC/DC转换器、LED背光驱动、移动设备电源管理和其它类似应用的理想选择。
2023-12-28 上传
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