2SK2742-VB：100V N沟道TrenchFET MOSFET应用

"2SK2742-VB是一款N沟道SOT89-3封装的MOSFET，适用于DC/DC转换器、升压转换器、负载开关、LCD电视LED背光以及移动计算设备的电源管理。" 2SK2742-VB是一款由TrenchFET技术制造的N沟道功率MOSFET，其主要特点包括低电阻、高效率和严格的测试标准，如100%的Rg和UIS测试。这款MOSFET设计用于在各种应用中提供高效能和可靠的开关性能。 在电气特性方面，2SK2742-VB的额定漏源电压（VDS）为100V，典型条件下的栅极阈值电压（VGS）为10V时，漏源导通电阻（RDS(on)）仅为0.102欧姆。其电流处理能力根据不同温度条件有所不同，例如，在25°C时，连续漏极电流（ID）可以达到4.2A，而在70°C时，该值降至3.5A。此外，它具有低栅极电荷（Qg），在VGS=10V时为2.9nC，这有助于快速开关操作。 绝对最大额定值是设计电路时必须考虑的重要参数。2SK2742-VB的漏源电压最大为100V，栅极源电压为±20V。在特定条件下，如结温为150°C时，连续漏极电流的最大值为4.2A。脉冲漏极电流（IDM）在300微秒脉宽下可达15A，而连续源漏二极管电流（IS）在25°C时为2.1A。此外，这款MOSFET能承受单脉冲雪崩电流（IAS）为3A，单脉冲雪崩能量（EAS）为0.45mJ。 在散热性能方面，最大功率耗散（PD）在25°C时为2.5W，但随着温度上升，该值会降低，如在70°C时为1.6W。操作和储存的结温范围广泛，从-55°C到150°C，确保了在各种环境温度下的稳定工作。 2SK2742-VB是一种高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高效、低损耗和小型封装的电源管理应用。它的设计和规格使其成为DC/DC转换器、LED背光驱动、移动设备电源管理和其它类似应用的理想选择。