一带电导体，其表面某处的电荷面密度为 0=4.425×10-10 C·m-2，则在导体表面外附近 该处的电场强度的大小E[](真空介电常量为8.85×10-12 C2.N-1.m-2)

由高斯定理可得，电场强度与电荷面密度之间的关系为：

E = σ / ε0

其中，E为电场强度，σ为电荷面密度，ε0为真空介电常量。

将题目中的数据代入公式，得到：

E = 4.425×10^-10 C·m^-2 / 8.85×10^-12 C^2·N^-1·m^-2

计算得到：

E ≈ 49851.4 N/C

因此，在导体表面外附近，该处的电场强度的大小约为49851.4 N/C。

相关问题

f = 1e6:1e5:100e6; r=3.9904e-3; D=15.8e-3; delta = sqrt(1./pi./f./mu_c./sigma_c); R_solid = 1./pi./r./delta./sigma_c; R = (D./2./r)./sqrt((D./2./r).^2-1).*R_solid; Ls = R./2./pi./f; Lm = mu_c/pi*acosh(D/2/r); L = Ls+Lm; C = pi*epslon/acosh(D/2/r); G = 2.*pi.*f.*C.*tdelta; temp_a = complex(R, 2.*pi.*f.*L); temp_b = complex(G, 2.*pi.*f.*C); gama = sqrt(temp_a.*temp_b);翻译每一句

1. `f = 1e6:1e5:100e6;` - 定义向量 `f`，包含从 1 MHz 到 100 MHz，步长为 0.1 MHz 的一系列频率值。

2. `r=3.9904e-3; D=15.8e-3;` - 定义导体的半径 `r` 和直径 `D`。

3. `delta = sqrt(1./pi./f./mu_c./sigma_c);` - 计算电磁波在导体内部的衰减深度 `delta`。

4. `R_solid = 1./pi./r./delta./sigma_c;` - 计算导体的电阻率 `R_solid`。

5. `R = (D./2./r)./sqrt((D./2./r).^2-1).*R_solid;` - 计算线圈的电阻 `R`。

6. `Ls = R./2./pi./f;` - 计算线圈的自感 `Ls`。

7. `Lm = mu_c/pi*acosh(D/2/r);` - 计算线圈的互感 `Lm`。

8. `L = Ls+Lm;` - 计算线圈总的电感 `L`。

9. `C = pi*epslon/acosh(D/2/r);` - 计算线圈的电容 `C`。

10. `G = 2.*pi.*f.*C.*tdelta;` - 计算线圈的电导 `G`。

11. `temp_a = complex(R, 2.*pi.*f.*L); temp_b = complex(G, 2.*pi.*f.*C);` - 计算两个复数，用于计算传播常数。

12. `gama = sqrt(temp_a.*temp_b);` - 计算传播常数 `gama`。

因此，这段代码主要是在计算线圈的一些电学参数，包括电阻、自感、互感、电容、电导和传播常数等。

判断题：静电场中，某导体被电容率为：的各向同性介质包围，试判断以下说法的正误。 （1） 导体为等势体； (2） 导体表面附近的场强：E=60/80 其中，∞0是当地导体表面自由电荷面密度； (3) 写体表面附近的申位移：D=00； (4） 导体表面附近的电位移方向是平行于表面法向的。

1. 正确，静电场中，导体内部电场为0，导体表面处处相等，所以导体为等势体。
2. 错误，若电容率为ε，则场强为E=σ/ε，其中σ为导体表面的自由电荷面密度，所以E=∞0/ε，根据题目给出的信息，E=80/60≠60/80。
3. 正确，由高斯定理可知，闭合曲面内部电荷代数和等于零，所以D=εE=ε×0=0。
4. 正确，电位移方向与电场方向垂直，而导体表面处电场方向与表面法向垂直，所以导体表面附近的电位移方向是平行于表面法向的。