a * (1 - t)^b * t^c * Pn

时间: 2024-07-15 15:01:21 浏览: 94
这个表达式看起来像是金融或统计学中的一个公式,它可能代表了一个随着时间变化的复合增长模型。这里的`a`可能是初始值,`(1-t)`是时间因子(通常`t`表示时间),`b`和`c`可能是指数或幂律参数,`Pn`可能是某个年金支付(如养老金)在第n年的现值。 具体来说,如果`a`是本金,`b`是利率(以小数形式),`c`是现金流折现率(同样以小数形式),`t`是从当前到未来的年份,那么`a * (1 - t)^b * t^c * Pn`可以计算未来某一时刻的累积价值。 这是一个复利公式的一种变体,常用于计算投资回报或者现值分析。然而,要提供详细的演示,我们需要具体的数值来代入这些变量。如果你想要看到实际的计算结果,需要给出这些参数的具体值。
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半導體物理的原理解析,一長形矽pn接面光二極體於T=300K時具有下列參數:Na=10^16cm^-3, Nd= 2 x 10^15cm^ -3, Dp = 10cm^2/s, Dn. = 25 cm^2/s, Tp0=10^-7s 及 Tn0=5*10^-7s . 此二極體的面積為A=10^-3cm^2 . 設有一逆偏5V 的電壓跨接於二極體,而二極體有電子一電洞對產生率為G=10^21 cm^-3s^-1 表現於整 個光二極體中。(a)求出光電流的即時成分;(b) 求出遠離接面的p型區及n型區中的穩態過量載子濃度;(C)決定出穩態的總光電流

这是一个比较复杂的问题,需要用到半导体物理学的知识和公式进行计算。下面是解答过程: (a)根据光二极管的工作原理,当有光照射到 pn 结时,会产生电子和空穴对,形成光电流。根据题目中给出的数据,可以先计算出 pn 结的内建电场强度: Vbi = kT/q * ln(NaNd/ni^2) ni = sqrt(10^10 * T^3/2 * exp(-Eg/(2kT))) Eg(Si) = 1.12 eV 其中,k 是玻尔兹曼常数,T 是温度,q 是电子电荷量,Na 和 Nd 分别是 p 型和 n 型区的掺杂浓度,ni 是本征载流子浓度,Eg 是硅的带隙能。 代入数据得到: ni = 1.45 x 10^10 cm^-3 Vbi = 0.836 V 因为有逆偏电压,所以 pn 结的有效势垒高度为: V0 = Vbi - 5 V = -4.164 V 根据 pn 结的I-V特性中的Shockley方程,可以计算出光电流的即时成分: J = J0(exp(qV/kT) - 1) + G 其中,J0 是饱和漏电流密度,V 是 pn 结的电压。因为是逆偏,所以J0可以近似为0。代入数据得到: J = G = 10^21 cm^-3 s^-1 (b)根据 pn 结的势垒理论,可以计算出距离 pn 接面的位置 x 处的载流子浓度: n(x) = ni^2/Na * exp(qV(x)/kT) p(x) = ni^2/Nd * exp(-qV(x)/kT) 其中,V(x) 是在 x 处的势垒高度,可以用以下公式计算: V(x) = -V0 * exp(-x/L) 其中,L 是 pn 结的宽度。代入数据得到: L = sqrt(2 * ε * ε0 * Vbi / (q * (1/Na + 1/Nd))) ε(Si) = 11.7 ε0 L = 0.723 μm 然后可以计算出远离 pn 接面的 p 型半导体区和 n 型半导体区的稳态过量载流子浓度: Δp_inf = Δn_inf = sqrt(G * Tp0 * Tn0/(Dp * Dn * A)) 其中,A 是 pn 结的面积。代入数据得到: Δp_inf = Δn_inf = 5.8 x 10^7 cm^-3 (c)根据光电流的定义,可以计算出稳态的总光电流: J_total = J - J_dark 其中,J_dark 是在无光情况下的暗电流密度,可以用Shockley方程计算: J_dark = J0(exp(qV/kT) - 1) 代入数据得到: J_dark = 1.67 x 10^-14 A/cm^2 所以稳态的总光电流为: J_total = J - J_dark = 9.92 x 10^6 A/cm^2 以上就是整个问题的解答过程,希望能对你有所帮助。

stm32——NFC芯片--PN532的使用

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