存储器的异步刷新是怎么刷新的

存储器的异步刷新是通过在存储器中添加刷新电路来实现的。刷新电路会周期性地向存储器中的每个存储单元发送刷新脉冲，以保证存储单元中的数据不会因为长时间未被访问而损失。在异步刷新中，刷新脉冲不受外部时钟信号的控制，而是由刷新电路自主发出，因此称为“异步刷新”。异步刷新的周期一般为2ms左右，具体时间取决于存储器的设计。

相关问题

用64K×1位的DRAM芯片构成1M×8位的存储器，若采用异步刷新，若每行刷新间隔不超过2ms，则产生刷新信号的间隔是多少时间？若采用集中刷新方式，则存储器刷新一遍最少用多少个读写周期？CPU的死时间为多少？

对于64K×1位的DRAM芯片，一共需要8个这样的芯片构成1M×8位的存储器。

如果采用异步刷新方式，每个DRAM芯片需要刷新一次，而每个DRAM芯片的刷新周期为2ms/64K = 31.25us。因此，刷新信号的间隔为31.25us × 8 = 250us。

如果采用集中刷新方式，需要对8个DRAM芯片进行刷新。每个DRAM芯片的刷新周期为2ms/64K = 31.25us，因此存储器刷新一遍最少用8个读写周期，即8 × 31.25us = 250us。

CPU的死时间是指CPU不能访问存储器的时间。在异步刷新方式下，由于刷新信号的间隔为250us，因此CPU的死时间最多为250us。在集中刷新方式下，存储器的读写周期为31.25us，因此CPU的死时间最多为8 × 31.25us = 250us。

若某DRAM芯片内部采用128*128矩阵排列，存储器存取周期为500ns，当存储系统分别采用集中刷新、分散刷新和异步刷新时，存储器的平均访问周期是多少？在2ms刷新间隔内，存储器可正常存取的次数是多少？

根据给出的信息，我们可以推出DRAM芯片的总存储容量为128*128 = 16384个存储单元。利用集中刷新、分散刷新和异步刷新分别计算得到平均访问周期分别为：(16384 / 256) * 500ns = 32us; (16384 / 512) * 500ns = 16us; (16384 / 16384) * 500ns = 0.5ns = 500ps。在2ms刷新间隔内，存储器可正常存取的次数分别为：2ms / 32us = 62500次; 2ms / 16us = 125000次; 2ms / 500ps = 4000000次。