stm32H723 内部flash
时间: 2024-08-12 22:07:14 浏览: 56
STM32H723系列微控制器内部集成了一款高密度、高性能的闪存(Flash)。以下是关于STM32H723 Flash的一些关键特点:
1. **容量和类型**:STM32H723通常配备一个或多个选项,Flash容量可以从几KB到几MB不等,具体取决于型号。它使用的是基于CMOS工艺的非易失性闪存技术,提供数据长期存储。
2. **访问速度**:内部Flash支持高速访问,包括标准的程序闪存(执行代码)和数据闪存(常量和变量存储)。访问速度可能因型号而异,但通常可以达到较高的频率,如高达100MHz的读写速度。
3. **分段结构**:Flash通常是按区域划分的,包括固件区、用户数据区和可编程区。这使得用户可以根据需求灵活地分配空间。
4. **保护机制**:为了防止意外擦除或损坏,Flash提供了各种保护机制,如编程次数限制、块擦除保护和编程电压监控。
5. **安全特性**:STM32H723的Flash可能还包含安全特性,如固件加密和固件更新功能,用于保护知识产权。
6. **接口**:Flash可以通过微控制器的内部总线如AHB或者APB进行访问,这些总线提供了高效的通信路径。
相关问题
stm32f411 内部flash的完整代码
STM32F411系列微控制器内部的Flash存储器是一个非易失性的存储空间,用于长期保存程序代码和数据。它通常包含固件烧写、擦除和读取操作的API,这些操作在HAL库或CubeMX生成的项目模板中已经预置好了。
以下是一个简单的示例,展示了如何使用STM32 HAL库中的函数进行Flash操作(注意,这只是一个基础的框架,并非完整的代码,实际应用中可能需要根据具体项目配置进行调整):
```c
#include "stm32f4xx_hal.h"
// Flash erase block size
#define FLASH_ERASE_SIZE (0x1000U) // 4KB
void Flash_EraseSector(uint32_t SectorAddress)
{
HAL_FLASHEx_Erase(&hflash, SectorAddress, FLASH_BANK_BOTH);
}
void Flash_WriteByte(uint32_t Address, uint8_t Data)
{
uint32_t ErrorCode;
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data, &ErrorCode);
if (ErrorCode != HAL_OK)
// Handle flash write error
__assert_error(__FILE__, __LINE__);
}
// Assuming you have a function to fill the buffer with data to be written to Flash
void Flash_WriteBuffer(uint32_t Address, uint8_t *Buffer, uint32_t BufferSize)
{
for (uint32_t i = 0; i < BufferSize; i++)
{
Flash_WriteByte(Address, Buffer[i]);
Address += sizeof(uint8_t);
}
}
int main(void)
{
// Initialize your system and HAL
// ...
// Erase the specified sector before writing
Flash_EraseSector(SOME_FLASH_SECTOR_ADDRESS);
// Write your data into Flash
uint8_t data[] = { ... }; // Your data here
Flash_WriteBuffer(SOME_FLASH_WRITE_ADDRESS, data, sizeof(data));
// End of code
while (1);
}
```
stm32f405 对内部flash 进行写入 HAL库
好的,针对您的问题,我可以给您提供一些基本的步骤和示例代码来对 STM32F405 的内部 Flash 进行写入。
首先,您需要在 HAL 库中选择合适的库函数来控制内部 Flash 的写入。HAL 库中提供了许多内部 Flash 操作的 API,包括读、写、擦除等操作。对于内部 Flash 的写入,您可以使用以下函数:
```c
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)
```
该函数用于向指定的地址写入指定的数据,其中 TypeProgram 参数表示写入的数据类型,可以是字节、半字或字等;Address 参数表示写入的地址;Data 参数表示写入的数据。
下面是一个简单的示例代码,演示如何使用 HAL 库来向内部 Flash 写入数据:
```c
#include "stm32f4xx_hal_flash.h"
#define FLASH_USER_START_ADDR ADDR_FLASH_SECTOR_10
#define FLASH_USER_END_ADDR ADDR_FLASH_SECTOR_11
int main(void)
{
HAL_StatusTypeDef status;
uint32_t flashAddress = FLASH_USER_START_ADDR;
uint32_t data = 0x12345678;
// 解锁Flash
HAL_FLASH_Unlock();
// 擦除Flash扇区
FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_10, VOLTAGE_RANGE_3);
// 写入数据到Flash
while (flashAddress < FLASH_USER_END_ADDR)
{
status = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, flashAddress, data);
if (status != HAL_OK)
{
// 写入数据失败
break;
}
flashAddress += 4; // 每次写入4字节
}
// 锁定Flash
HAL_FLASH_Lock();
while (1)
{
// 循环等待
}
}
```
代码中,我们首先解锁内部 Flash,然后擦除 Flash 的扇区,最后使用 HAL_FLASH_Program 函数来向 Flash 写入数据。在写入完成后,我们还需要将 Flash 锁定,以防止意外的写入操作。
需要注意的是,写入 Flash 数据时需要先进行扇区擦除操作,否则会导致写入失败。另外,写入操作会消耗一定的时间,需要根据写入数据的大小和 Flash 的擦除和写入速度来估算写入时间。
希望这些信息能对您有所帮助。如果您还有任何问题,请随时问我。