4H-SiC MESFET的频率色散全面模型

"A comprehensive model of frequency dispersion in 4H-SiC MESFET" 这篇论文详细探讨了4H-SiC（4H型碳化硅）金属半导体场效应晶体管（MESFET）中的频率色散现象。4H-SiC是一种宽禁带半导体材料，因其优越的高温性能和耐辐射性而在高功率和射频应用中受到广泛关注。MESFET是这种材料的一种关键器件，其工作原理基于半导体表面的电场控制电子迁移率。 作者Hongliang Lu、Yimen Zhang、Yuming Zhang和Tao Zhang在西安电子科技大学微电子研究所进行了深入研究，他们提出了一种全面的模型来精确且简洁地描述陷阱效应对器件频率特性的影响。这个模型不仅考虑了深能级陷阱，还考虑了自加热效应，这两种因素都会显著影响MESFET的频率响应。 在直流（DC）性能模拟中，研究人员提取了陷阱参数，这些参数对于理解和优化器件性能至关重要。频率色散是指在不同频率下，器件的某些参数（如跨导）表现出的差异。在这项工作中，他们模拟并分析了跨导的正向和负向频率色散。正向色散通常与陷阱捕获载流子有关，而负向色散可能源于陷阱释放载流子的过程。通过将模型与已报道的结果进行比较，他们得到了良好的一致性，这验证了模型的有效性。 文章引用了相关的物理分类代码（PACS），如71.20.b（固体中的电子态）、72.10.d（半导体的电子动力学）和73.20.+q（半导体器件的物理），这些代码反映了研究涉及的领域。 关键词包括4H-SiC、MESFET、陷阱效应和频率色散，突出了研究的核心内容。该研究对理解4H-SiC MESFET的高频行为，以及如何通过改进设计或工艺来减小陷阱效应的影响具有重要意义。这为未来的器件优化和性能提升提供了理论基础，尤其是在军事、航空航天和通信系统等对器件性能有严格要求的领域。