STD65N55F3-VB: 高性能60V N沟道TO252封装场效应晶体管

STD65N55F3-VB是一款高性能的N沟道Trench FET型功率MOSFET，采用TO252封装，特别设计用于对散热性能有较高要求的应用。这款晶体管具有低热阻特性，有助于降低在高电流密度下的温度上升，确保了元件的可靠性和效率。 该场效应管的主要特点包括： 1. **Trench FET结构**：采用先进的Trench技术，提供更小的栅极电荷和更快的开关速度，有助于减小信号传输延迟，提高电路响应能力。 2. **低热阻封装**：TO252封装配合优良的散热设计，能有效分散热量，使得在高工作电压（VDS = 60V）和电流（ID = 97A）下也能保持稳定的工作条件。 3. **严格的测试标准**：晶体管经过100% Rg和UISTest验证，确保在脉冲测试（脉宽≤300μs，占空比≤2%）下的可靠性能，适用于短时高负载情况。 4. **安全限制**：需要注意的是，该产品包装有限制，且在安装时需遵循制造商建议（例如，1英寸平方PCB材质），并且参数验证仍在进行中。 5. **电气参数**： - VDS最大电压为60V，VGS工作范围为±20V。 - 在VGS=10V时，RDS(on)为0.0050Ω，而在VGS=4.5V时，RDS(on)为0.0120Ω。 - ID在25°C下可达97A，随着温度升高有所下降；IS在连续条件下为100A，而单脉冲条件下有更高的限制。 6. **安全等级**： - 最大连续和脉冲峰值电流限制，如IDM、IAS和单脉冲雪崩能量EAS。 - 高温下的功率限制，如PD，以及操作和存储温度范围TJ和Tstg。 7. **热阻**：提供了Junction-to-Ambient（J-环境）和Junction-to-Case（J-管壳）的热阻值，对于散热设计和设备温度管理至关重要。 总体而言，STD65N55F3-VB是一款针对特定应用场景设计的高效能晶体管，适合于那些对功率处理、开关速度和散热性能有严格要求的电子系统。在实际应用中，务必根据其规格和限制进行正确选用和使用。