AP2309GN-VB-MOSFET: 30V P沟道功率MOSFET特性与应用解析
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更新于2024-08-03
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本文档详细介绍了AP2309GN-VB-MOSFET一款P沟道、耐压高达30V的高性能MOSFET。该产品采用TrenchFET® PowerMOSFET技术,经过100% Rg测试,确保了其在移动计算应用中的可靠性和效率。
应用领域广泛,包括但不限于作为负载开关用于移动设备(如笔记本电脑)的电源管理,笔记本适配器开关,以及直流到直流转换器中的关键组件。针对不同工作条件,它提供了一系列典型和最大电流规格,例如在10V电压下RDS(ON)为47mΩ,而在4.5V时为56mΩ,这表明其低阻抗特性有助于降低电路的能耗。
产品特点包括:
1. 性能参数:
- 最大连续漏源电压(VDS)为-30V。
- 不同VGS电压下的典型RDS(ON)值:-10V时为0.046Ω,-6V时为0.049Ω,-4.5V时为0.054Ω。
- 高达-5.6A的连续漏极电流(ID)在室温下操作。
- 阀值电荷(Qg)也提供了不同VGS电压下的数值,如-10V下的11.4nC。
2. 安全限制:
- 定义了绝对最大额定值,如-18A的脉冲漏极电流(IDM),-2.1A的连续源漏极电流(IS),以及25°C下最大2.5W的功率耗散(PD)。
- 操作和存储温度范围在-55°C至150°C之间,同时列出了不同温度下的热阻抗指标。
3. 封装和尺寸:
- 使用的是SOT-23或TO-236封装,适合表面安装在1"x1" FR4板上,具有紧凑的外形和良好的散热设计。
4. 注意事项:
- 所有数据基于参考温度25°C,具体电流和功耗可能因实际环境和工作条件而变化。
- 为了确保最佳性能和寿命,需遵循制造商推荐的操作条件和限制。
AP2309GN-VB-MOSFET是一款适用于各种高电压、高效率电源管理应用的高性能MOSFET,用户在设计电路时应考虑其特性参数和安全规范,以实现最佳的系统性能和可靠性。
2023-10-23 上传
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