AP2301GN-VB-MOSFET: -20V P沟道MOSFET详解与关键参数
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更新于2024-08-03
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本文档主要介绍了AP2301GN-VB-MOSFET一款P沟道、耐压高达20V的MOSFET器件。该器件采用SOT-23封装,具有出色的开关性能和低阻抗特性。以下是对产品关键参数的详细解析:
1. **电压规格**:
- Drain-Source Voltage (VDS): 最大允许电压为-20V,这表明该MOSFET在正常工作时可以承受的源极和漏极之间的电压差。
- Gate-Source Voltage (VGS): 范围为±12V,这意味着它可以在±12伏的栅极电压下稳定工作。这是为了确保足够的栅极控制能力。
2. **电流特性**:
- Continuous Drain Current (ID): 在室温(25°C)下,最大连续漏极电流为-5eA,在70°C时为-4.8A。需要注意的是,这个值是在不同温度条件下设定的。
- Pulsed Drain Current (IDM): 该MOSFET允许的峰值脉冲漏极电流为-18A,确保在短时间内能承受更高电流冲击。
3. **保护特性**:
- Source-Drain Diode Current (IS): 在25°C时,最大连续源极到漏极导通电流为-2.1A,70°C时为-1.0A。这有助于防止在某些异常情况下,例如电源反接时产生的过流。
4. **散热性能**:
- Power Dissipation (PD): 定义了在不同温度下的最大功率消耗,比如在25°C时,最大功率为2.5W,随着温度升高,允许的功率会逐渐降低。
5. **温度范围**:
- Operating Junction Temperature (TJ) 和 Storage Temperature Range (Tstg): 该器件的工作和储存温度范围是-55°C至150°C,确保在各种环境条件下仍能稳定运行。
6. **热阻特性**:
- Thermal Resistance Ratings:
- RthJA: 最大结温到环境的热阻,典型值为75°C/W,最大值为100°C/W,表示器件在5秒内能够有效地散热。
- RthJF: 结到漏极的热阻,包括稳态条件下的热阻,典型值为40°C/W,最大值为50°C/W。
7. **其他特性**:
- 设计为无卤素,符合IEC 61249-2-21标准,确保环保和安全。
总结来说,AP2301GN-VB-MOSFET是一款适合应用于需要高电压、低阻耗、良好散热性能以及宽温度范围的电路中的高性能开关元件。在设计电路时,需注意其电流限制、散热条件以及温度操作范围,以充分发挥其效能并确保系统可靠性。
2023-10-23 上传
2023-11-11 上传
2023-11-02 上传
2024-04-08 上传
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