第 1 章 绪论
究组,与中国科学院沈阳科仪厂合作开展了设备的研制,为我国量子阱激光器
的发展打下了基础,1975年在中科院半导体所内组成了量子阱激光器研究组,
在与研究组的密切合作下,于1987年国内首次实现了AlGaAs/GaAs量子阱激光
器的室温脉冲激射,从而揭开了我国量子阱激光器与量子阱光电子器件研究的
序幕,量子阱能带工程的应用使半导体激光器的波长覆盖面大为展宽,尤其是
向短波方向的衔接性发展,红光、黄光半导体激光器也先后在中科院半导体所
和海特光电子公司研制成功,对推动海量光存储技术的发展起到了推动作用
[4]
。在我国863计划的支持和推动下,大约历经10年的开拓我国量子阱激光器的
研发已登上系列化的高度,取得了与国际同步发展的态势。
对激光器腔面进行优化镀膜,可以在一定程度上改善激光器的输出特性,
提高其输出功率和使用寿命,它已经成为一种广泛应用的改善半导体激光器特
性的手段之一。虽然光学薄膜的研究历史已经很久了,人们也作了大量的工作
但是半导体激光器腔面光学薄膜的研究历史却不是很长,相对来说做的工作就
要少得多了。在国内,除了中科院半导体所、长春光机所、吉林大学作了一些
研究工作外,再就是北京市光电子技术实验室在这方面作了比较多的工作,其
它单位在这方面进行专门研究的较少。
1.2 808nm 高功率半导体激光器的应用前景
808nm高功率半导体激光器作为一种新型的激光光源由于具有较高的电光
转换效率和可靠的工作稳定性以及紧凑的体积和简单的驱动要求,因而在固体
激光器泵浦、材料加工、医疗、光信息处理等方面有着广泛应用
[5-6]
。
1、 作为固体激光器泵浦
808nm高功率半导体激光器的主要用途就是用于泵浦Nd:YAG固体激光器。
固体激光器技术已经渗透到精确制导、通讯、火控、雷达、侦察、导航、
信息处理、对抗等各种技术领域中,其中由激光器泵浦的固体激光器已经称为
主流。与传统灯泵的固体激光器相比,半导体激光器具有体积小、可靠性高、
转换效率更高的优点,用它做固体激光器可大大减小固体激光器的体积,提高
光功率密度和可靠性。由于半导体激光器的发射波长与固体激光工作物质的吸
收峰吻合,加之,泵浦光模式可以很好地与激光振荡模式匹配,从而转换效率
很高,已达50%以上,比灯泵固体激光器高出一个数量级
[7]
。
2、在军事方面,808nm高功率半导体激光器有很重要的应用价值,如激光
测距(实时测定运动目标,如武装直升机、坦克、导弹等及静止目标距离)、