FDS4435BZNLVMOSFET: 30V P沟道MOSFET特性与应用解析

本文档主要介绍了FDS4435BZ-NL-VB-MOSFET一款P沟道、耐-30伏电压的MOSFET器件。该产品采用了先进的Trench FET®技术，具有出色的功率性能和环保特性，符合IEC61249-2-21标准，不含有卤素。以下是该器件的主要特点和规格： 1. **特性**： - 采用无卤设计，符合IEC61249-2-21标准。 - Trench FET结构，提供了更高的开关效率和更低的通态电阻（RDS(on)）。 - 经过100% Rg测试，确保了产品的可靠性。 2. **应用场景**： - 适用于负载开关和电池开关等需要高效能、高可靠性的电路中。 3. **产品概述**： - 最大集电极源极电压（VDS）为-30V，允许的最大栅极源极电压（VGS）范围为±20V。 - 在10秒内，当VGS = -10V时，连续集电极电流（ID）达到0.018A，而当VGS = -4.5V时，ID为0.024A。 - 提供了不同温度条件下的电流限制，如在25°C下，最大连续脉冲集电极电流（IDM）为-30A，而静态源极-集电极电流（IS）为-3.5A。 4. **功率参数**： - 在25°C条件下，最大功耗（PD）为4.2W，随着温度升高，功率极限会降低，例如在70°C下为2.7W。 - 操作和存储温度范围广泛，从-55°C到150°C。 5. **热性能**： - 热阻（RthJA）典型值为40°C/W，最大值为50°C/W，反映了器件的散热能力。 - 提供了不同温度条件下的最大结温至底座（Junction-to-Foot）热阻数据。 总结来说，FDS4435BZ-NL-VB-MOSFET是一款高性能、低导通电阻的P沟道MOSFET，适用于需要高效率和宽电压范围的应用，具有良好的热管理和可靠性。设计者在使用此器件时，应充分考虑其工作条件下的电流、电压限制以及热管理策略，以确保系统安全稳定运行。