英飞凌BSZ0909NS OptiMOS™ 芯片中文规格书
"BSZ0909NS INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 本文档是英飞凌科技公司(INFINEON)的BSZ0909NS OptiMOS™ 功率MOSFET的中文规格书,详细介绍了该芯片的主要特性和技术参数。BSZ0909NS是一款优化适用于5V驱动应用的N沟道MOSFET,如笔记本、显卡和POL电源。它在高频开关电源系统(SMPS)中表现出低的开关损耗(FOMSW)和出色的开关性能。 该芯片的关键特性包括: 1. **优化5V驱动应用**:BSZ0909NS设计用于在5V驱动电压下工作,能有效满足笔记本电脑、VGA接口和POL电源等应用场景的需求。 2. **低导通电阻RDS(on)**:在VGS=4.5V时,其RDS(on)非常低,这降低了在工作状态下的功率损失,提高了效率。 3. **卓越的栅极电荷与RDS(on)乘积**:良好的FOM(figure of merit)表明BSZ0909NS在开关性能上表现优异,意味着更快的开关速度和更低的能耗。 4. **通过JEDEC标准测试**:该芯片已按照JEDEC1(J-STD20和JESD22)进行认证,确保了在目标应用中的可靠性和一致性。 5. **出色的热性能**:具有优秀的热阻RthJA,有助于在高热环境下保持稳定工作。 6. **环保设计**:采用无铅电镀,符合RoHS标准,并且不含卤素,符合IEC61249-2-21的要求。 技术参数方面,BSZ0909NS的主要参数包括: - **连续漏极电流ID**:在不同条件下的最大连续电流,如VGS=10V, TC=25°C时为36A,VGS=4.5V, TC=100°C时为21A。 - **脉冲漏极电流ID,pulse**:在25°C下的最大脉冲电流为144A。 - **雪崩电流IAS** 和 **雪崩能量EAS**:定义了芯片在单个脉冲下的安全雪崩电流和能量,以防止过载情况下损坏。 - **栅极源电压VGS**:允许的最大正负电压为±20V。 - **封装类型和标记**:采用PG-TSDSON-8封装,产品标记为0909NS。 - **漏源电压VDS**:最大值为34V。 - **最大RDS(on)**:在VGS=10V和4.5V时分别为12mΩ和15mΩ。 - **额定电流ID**:最大连续电流为36A。 BSZ0909NS是一款高性能、低功耗、高可靠性的N沟道MOSFET,适用于对效率和开关速度有高要求的电源管理应用。其在设计时充分考虑了散热、环保以及安全性,是现代电子设备中不可或缺的组件。
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