英飞凌BSZ0909NS OptiMOS™ 芯片中文规格书

"BSZ0909NS INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 本文档是英飞凌科技公司（INFINEON）的BSZ0909NS OptiMOS™ 功率MOSFET的中文规格书，详细介绍了该芯片的主要特性和技术参数。BSZ0909NS是一款优化适用于5V驱动应用的N沟道MOSFET，如笔记本、显卡和POL电源。它在高频开关电源系统（SMPS）中表现出低的开关损耗（FOMSW）和出色的开关性能。 该芯片的关键特性包括： 1. **优化5V驱动应用**：BSZ0909NS设计用于在5V驱动电压下工作，能有效满足笔记本电脑、VGA接口和POL电源等应用场景的需求。 2. **低导通电阻RDS(on)**：在VGS=4.5V时，其RDS(on)非常低，这降低了在工作状态下的功率损失，提高了效率。 3. **卓越的栅极电荷与RDS(on)乘积**：良好的FOM（figure of merit）表明BSZ0909NS在开关性能上表现优异，意味着更快的开关速度和更低的能耗。 4. **通过JEDEC标准测试**：该芯片已按照JEDEC1（J-STD20和JESD22）进行认证，确保了在目标应用中的可靠性和一致性。 5. **出色的热性能**：具有优秀的热阻RthJA，有助于在高热环境下保持稳定工作。 6. **环保设计**：采用无铅电镀，符合RoHS标准，并且不含卤素，符合IEC61249-2-21的要求。 技术参数方面，BSZ0909NS的主要参数包括： - **连续漏极电流ID**：在不同条件下的最大连续电流，如VGS=10V, TC=25°C时为36A，VGS=4.5V, TC=100°C时为21A。 - **脉冲漏极电流ID,pulse**：在25°C下的最大脉冲电流为144A。 - **雪崩电流IAS** 和 **雪崩能量EAS**：定义了芯片在单个脉冲下的安全雪崩电流和能量，以防止过载情况下损坏。 - **栅极源电压VGS**：允许的最大正负电压为±20V。 - **封装类型和标记**：采用PG-TSDSON-8封装，产品标记为0909NS。 - **漏源电压VDS**：最大值为34V。 - **最大RDS(on)**：在VGS=10V和4.5V时分别为12mΩ和15mΩ。 - **额定电流ID**：最大连续电流为36A。 BSZ0909NS是一款高性能、低功耗、高可靠性的N沟道MOSFET，适用于对效率和开关速度有高要求的电源管理应用。其在设计时充分考虑了散热、环保以及安全性，是现代电子设备中不可或缺的组件。