2SK1470 SOT23-3封装MOSFET:参数、应用与限制概述
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更新于2024-08-03
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2SK1470-SOT23-3封装的MOSFET是VBI1695系列的一款高性能、环保的沟槽型功率MOSFET,适用于便携式设备中的负载开关等应用。该器件采用无卤素材料,旨在降低对环境的影响。以下是该产品的关键参数和特性:
1. **特性**:
- **无卤化物**:确保了产品的环保性,符合对有害物质限制的要求。
- **TrenchFET® Power MOSFET**:利用沟槽技术设计,提供高效能和低导通电阻。
- **封装**:SOT23-3封装,适合小型化电路设计。
- **热管理**:最大工作温度下限为95°C/W,表明在稳定状态下有良好的散热性能。
2. **应用**:
- **负载开关**:适用于需要快速切换电流路径的小型便携式电子设备,如移动设备的电源管理。
- **注意事项**:
- 包装限制:仅限于1"x1" FR4板上的表面安装。
- 热时间常数:t=10s,表明响应速度较快。
- **引脚处理**:无引脚终端MOSFET,裸露的铜端部在制造过程中通过单片化过程形成,不建议使用烙铁进行手动焊接。
- 重新工作条件:对于无引脚组件,推荐使用专门的焊接方法。
3. **产品概要**:
- **电压规格**:
- 阴极-源电压(VDS):0V
- 漏极-源电压(VGS):±20V,允许在连续操作时的最大电压范围。
- **电流规格**:
- 连续漏极电流(ID):在不同温度条件下给出,如TC=25°C时的典型值。
- 最大脉冲漏极电流(IDM):考虑了脉冲操作下的电流限制。
- 源-漏二极管电流(IS):在25°C时的连续状态。
- **功率规格**:
- 最大功率损耗(PD):给出在不同温度下的最大热耗散能力,如TC=25°C时为4W。
- 更高的温度条件下(如TC=70°C),功率参数相应降低。
2SK1470-SOT23-3封装的MOSFET是一款适合便携式设备应用的理想选择,它具备高效能、紧凑封装和环保特点。在使用时需注意其特定的焊接和温度限制,确保安全和可靠性的操作。
2023-12-25 上传
2024-01-08 上传
2024-03-13 上传
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