Micron SLC NAND Flash Memory: ONFI 1.0兼容高密度存储解决方案

“Micron NAND Flash Memory”是一种由美光科技（Micron）生产的NAND闪存产品，适用于各种数据存储应用。这些产品采用单层单元（SLC）技术，具有高密度、快速读写速度以及多种操作模式。 Micron NAND Flash Memory的主要特性包括： 1. **开放NAND闪存接口（ONFI）1.0兼容**：这意味着它们遵循ONFI标准，提供了统一的接口规范，简化了与控制器的集成，提高了系统设计的灵活性和兼容性。 2. **单层单元（SLC）技术**：SLC NAND是闪存的一种类型，每个存储单元仅能存储1位数据，相比多层单元（MLC/TLC/QLC），SLC在耐用性和读写速度上有优势，但成本较高。 3. **组织结构**：产品有不同的页面大小和组织形式，例如x8和x16，分别对应2112字节（2048+64字节）和1056字词（1024+32字词）。块大小通常为64页，每页包含128K+4K字节的数据。飞机大小为2个平面，每个平面有2048个块。 4. **容量选项**：产品提供从4GB到16GB的不同容量，基于4096个块（4GB）、8192个块（8GB）和16,384个块（16GB）的设备大小。 5. **异步I/O性能**：传输速率快，tRC/tWC（读取/写入周期时间）在3.3V时为20ns，1.8V时为25ns。 6. **阵列性能**：读取页面速度为25微秒，编程页面典型速度为200微秒（1.8V和3.3V），擦除块的典型时间为700微秒。 7. **高级命令集**：支持程序页面缓存模式、读取页面缓存模式、一次性可编程（OTP）模式、双平面命令、交错Die（LUN）操作、读取唯一ID、块锁定（仅1.8V）、内部数据移动等高级功能。 8. **操作状态字节**：提供了软件检测操作完成、错误状态和其他关键操作状态的方法，有助于实现更可靠的系统控制和故障检测。 这些NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式系统、移动设备、固态硬盘（SSD）、数字消费电子产品等领域，因其高速度、低功耗和高可靠性而备受青睐。它们的性能指标和功能特点使其成为存储解决方案的理想选择，特别是在对速度和数据完整性要求较高的应用中。