用16K*8位的SRAM芯片设计一个32K*16位的存储器，SRAM芯片有两个控制端nCS和nWE：当nCS=0时SRAM被选中。当nWE=0时，进行写操作，当nWE=1时，进行读操作。CPU的地址总线为A15~A0，数据总线为D15~D0，读写控制信号为R/nW(R/nW=1时，进行读操作；R/nW=0时，进行写操作），访存控制信号为nMREQ（nMREQ=0时访存）。问：设计该存储器总共需要（）片SRAM芯片

根据题目要求，需要设计一个32K*16位的存储器，其中32K=32*1024=32768，16位即为2个字节。因此，该存储器总共需要32768*2=65536个字节的存储空间，即65536/8=8192个8位SRAM芯片。

每个SRAM芯片容量为16K*8位，即可以存储16384个字节。因此，每个SRAM芯片可以存储2个16位的数据。在32K*16位的存储器中，需要存储32768/2=16384个16位的数据，即需要使用8192个SRAM芯片。

由于每个SRAM芯片只能存储2个16位的数据，因此需要将32K*16位的存储器分成8192个块，每个块包含2个16位的数据。每个块的地址需要使用13位二进制数进行编码，因此需要13根地址线。而数据总线为16位，需要使用16根数据线。读写控制信号为1位，访存控制信号为1位。因此，总共需要13+16+1+1=31条控制线。

综上所述，设计该存储器总共需要8192片SRAM芯片。

相关问题

由16K*8位的SRAM芯片设计一个32K*16位

要将16K*8位的SRAM芯片扩展为32K*16位，需要将每个地址上的8位数据合并为16位数据。具体实现可以使用以下两种方式之一：

1. 并联方式

在并联方式下，需要使用两个16K*8位的SRAM芯片，并将它们并联起来。具体实现步骤如下：

- 将两个SRAM芯片分别连接到CPU的地址总线和数据总线上；
- 将两个SRAM芯片的片选信号连接到一个门电路上，这样只有当CPU访问32K地址范围内的时候，门电路才会打开，同时两个SRAM芯片才会被选中；
- 当CPU读取数据时，先读取低16位数据，然后再读取高16位数据，将它们合并为一个32位数据。

2. 串联方式

在串联方式下，需要使用一个16K*8位的SRAM芯片和一个16K*8位的存储器芯片（如EPROM或Flash），并将它们串联起来。具体实现步骤如下：

- 将SRAM芯片连接到CPU的地址总线和数据总线上；
- 将存储器芯片的输出引脚连接到SRAM芯片的高8位数据输入引脚上；
- 当CPU读取数据时，先读取低16位数据，然后再读取存储器芯片输出的高8位数据，将它们合并为一个32位数据。

需要注意的是，在实现32K*16位的存储器时，还需要考虑地址映射的问题。具体来说，需要将32K地址空间中的每个地址映射到16K地址空间中的某个地址上，以便CPU可以正确地访问到数据。

要求用256k x 16位sram芯片设计1024k x 32位的存储器。sram芯片有两个控制端:当cs

为高电平时，表示片选有效，可以读写数据；当we为低电平时，表示写操作有效。根据题目要求，我们需要设计一个1024k x 32位的存储器，可以使用4个256k x 16位的SRAM芯片来实现。

首先，我们将4个SRAM芯片连接在一起，将它们的地址引脚和数据引脚连接起来。然后，将它们的片选CS引脚接到一个逻辑电路上，当对应的地址范围被选中时，逻辑电路会输出高电平，从而选择对应的SRAM芯片。

接下来，我们设计控制逻辑电路来控制写入和读取操作。当进行写操作时，我们将32位的数据分为两个16位的数据，分别写入两个选中的SRAM芯片里。

当进行读取操作时，我们将两个选中的SRAM芯片的输出数据连接到一个数据复用器上，通过控制复用器选择不同的输入端口来获取32位的数据。

此外，在内部控制逻辑电路中，当进行读操作时，需要将WE引脚设置为高电平，表示写操作无效。这样可以防止在读取操作中意外地将数据写入到SRAM芯片中。

综上所述，我们可以通过将4个256k x 16位的SRAM芯片连接起来，设计一个1024k x 32位的存储器。通过控制片选CS引脚和写操作使能WE引脚，我们可以实现对数据的读写操作。在读取操作中，需要将数据复用器设计为能够选择对应的SRAM芯片输出数据。