主存容量为1MB,用1Mb/片的 DRAM 芯片构成,芯片最大刷新周期为2 ms 。问在2ms之内至少应安排几个刷新周期?
时间: 2023-06-16 12:06:25 浏览: 52
1MB = 1024KB = 1024 * 1024B = 8 * 1024 * 1024b
每个 DRAM 芯片的容量为 1Mb,即 128KB = 128 * 1024B = 1024 * 1024b
所以需要的 DRAM 芯片数量为 8 * 1024 * 1024b / 1024 * 1024b = 8个
每个 DRAM 芯片最大刷新周期为2 ms,因此整个存储器的刷新周期也为 2 ms
因此,在 2ms 内至少应安排 1 个刷新周期。
相关问题
用容量为16K ×1的DRAM 芯片构成64K*8的存储器,为什么刷新时按16k算而不是64k
这是因为DRAM芯片的刷新是以行为单位进行的。每一行包含了多个存储单元,而行的数量是由DRAM芯片的地址线数决定的。在16K×1的DRAM芯片中,地址线数为14根,因此可以寻址2^14个不同的行。刷新时需要遍历所有的行来保持数据的稳定性,因此刷新操作是按照行的数量进行的,即2^14行,而不是按照存储器整体的大小来计算。因此,使用16K×1的DRAM芯片构成64K×8的存储器时,刷新操作需要按照16K的行进行,而不是按照64K进行。
用容量为16K ×1的DRAM 芯片构成64K*8的存储器,为什么刷新时按128*128算而不是256*256
对于使用16K×1的DRAM芯片构成64K×8的存储器,在进行刷新时,应该按照16K的行进行刷新,而不是按照存储器的整体大小。因此,刷新时应该按照128×128的大小进行刷新,而不是256×256。这是因为16K×1的DRAM芯片有14根地址线,可以寻址2^14个行,每个行包含16K的存储单元。所以在64K×8的存储器中,共有64K/16K=4个行,每个行包含8个16K×1的DRAM芯片,也就是说每个行包含了8个16K的存储单元。因此,刷新时应该以128×128的大小进行刷新,即每次刷新128个行,每个行包含8个16K的存储单元。
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