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TI DRV110:高压电磁阀控制器,具备PWM和节能特性
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更新于2024-06-29
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TI-DRV110是一款专为电磁阀、继电器、阀门和开关设备设计的高性能电流控制器,它支持120VAC和230VAC的交流电源以及6V至48V的直流电源。这款器件的核心特性包括: 1. 内部齐纳二极管保护:DRV110具备内置齐纳二极管,能够在高压交流电源(如120VAC和230VAC)下提供安全防护,同时通过RS电阻器支持24V至48V的交流电源供电。 2. 外部MOSFET驱动:通过驱动外部MOSFET,用户可以精确控制电磁阀的电流,实现对电磁阀的电流控制功能。 3. 感应电阻调节:允许用户通过外部感应电阻器调整电磁阀的电流斜率,确保快速激活并支持在保持模式下减小电流以节省功耗。 4. 可编程参数:用户可以灵活设置斜坡峰值电流、峰值电流持续时间、维持电流和PWM时钟频率,无需额外外部组件,提供了高度的灵活性。 5. 保护功能:DRV110集成有热关断和欠压锁定(UVLO)保护机制,以确保设备的安全运行。 6. 状态输出:提供了可选的状态输出,便于系统监控和诊断。 7. 宽温工作范围:该器件能在极端的工作温度环境中稳定工作,即-40°C至+125°C。 8. 多种封装选择:为了适应不同应用需求,DRV110提供了8引脚和14引脚的TSSOP封装,方便安装和集成。 这款产品广泛应用于机电驱动器领域,如电磁阀、阀门、继电器、接触器、开关设备,以及大型家电、太阳能、运输、智能电网和配电系统等场合,它的设计旨在提供高效、可靠和易于控制的解决方案。值得注意的是,文档结尾的重要通知包含了关于可用性、保修、安全关键应用使用注意事项、知识产权声明和其他免责声明,请在使用前仔细阅读。
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DRV110
ZHCS819G –MARCH 2012–REVISED MARCH 2018
www.ti.com.cn
Copyright © 2012–2018, Texas Instruments Incorporated
6.5 Electrical Characteristics
V
IN
= 14 V, –40°C ≤ T
A
≤ 125°C, over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
SUPPLY
I
Q
Standby current EN = 0, V
IN
= 14 V, bypass deactivated 200 250
µA
Quiescent current EN = 1, V
IN
= 14 V, bypass deactivated 360 570
Internally regulated supply
EN = 0, I
VIN
= 2 mA, bypass activated 10.5 15 19
V
EN = 1, I
VIN
= 2 mA, bypass activated 14.5 15 15.5
GATE DRIVER
V
DRV
Gate drive voltage Supply voltage in regulation V
IN
V
I
DRV_SINK
Gate drive sink current V
OUT
= 15 V; V
IN
= 15 V 8 15 mA
I
DRV_SOURCE
Gate drive source current V
OUT
= GND; V
IN
= 15 V –15 –10 mA
f
PWM
PWM clock frequency OSC = GND 15 20 27 kHz
D
MAX
Maximum PWM duty cycle 100%
D
MIN
Minimum PWM duty cycle 7.5%
t
D
Start-up delay
Delay between EN going high until gate driver
starts switching, f
PWM
= 20 kHz
50 µs
CURRENT CONTROLLER, INTERNAL SETTINGS
I
PEAK
Peak current R
SENSE
= 1 Ω, PEAK = GND 270 300 330 mA
I
HOLD
Hold current R
SENSE
= 1 Ω, HOLD = GND 40 50 65 mA
CURRENT CONTROLLER, EXTERNAL SETTINGS
t
KEEP
Externally set keep time at peak current C
KEEP
= 1 µF 100 ms
V
PEAK
Voltage of internal reference to which the
SENSE pin voltage is compared to for
I
PEAK
R
PEAK
= 50 kΩ 900
mV
R
PEAK
= 200 kΩ 300
V
HOLD
Voltage of internal reference to which the
SENSE pin voltage is compared for I
HOLD
R
HOLD
= 50 kΩ 150
mV
R
HOLD
= 200 kΩ 50
f
PWM
Externally set PWM clock frequency
R
OSC
= 160 kΩ 25
kHz
R
OSC
= 200 kΩ 20
LOGIC INPUT LEVELS (EN)
V
IL
Input low level 1.3 V
V
IH
Input high level 1.65 V
R
EN
Input pullup resistance 350 500 kΩ
Input pulldown resistance 250 kΩ
LOGIC OUTPUT LEVELS (STATUS)
V
OL
Output low level Pulldown activated, I
STATUS
= 2 mA 0.3 V
I
IL
Output leakage current Pulldown deactivated, V(STATUS) = 5 V 2 µA
UNDERVOLTAGE LOCKOUT
V
UVLO
Undervoltage lockout threshold 4.6 V
THERMAL SHUTDOWN
T
TSU
Junction temperature start-up threshold 140 °C
T
TSD
Junction temperature shutdown
threshold
160 °C
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