SOT23封装30V 6.5A N-Channel场效应MOS管CPH3414-TL-VB overview

CPH3414-TL-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管 CPH3414-TL-VB是一款SOT23封装的N-Channel场效应MOS管，由VBSEMI公司生产，具有高性能和低电阻特性。下面是对其特性的详细介绍： 特性 * 封装类型：SOT23 *沟道类型：N-Channel *漏-source电压：30V *漏-source电流：6.5A * RDS(on)：30mΩ@VGS=10V，VGS=20V *阈值电压：1.2~2.2V 应用场景 * DC/DC转换器 * 高频开关电源 * 电机控制系统 * 电源管理系统 主要特点 * Halogen-free According to IEC 61249-2-21 * TrenchFET®PowerMOSFET * 100% Rg Tested * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 电气特性 * 漏-source电压：30V * 漏-source电流：6.5A * RDS(on)：30mΩ@VGS=10V，VGS=20V * 阈值电压：1.2~2.2V * 门-source电压：±20V * 连续漏-source电流：6.5A * 脉冲漏-source电流：25A * 最大功率耗散：1.7W 热特性 * 工作结温：-55°C to 150°C * 储存温度范围：-55°C to 150°C * 焊接温度推荐：260°C 热阻抗 * 结-ambient热阻抗：130°C/W * 结-case热阻抗：30°C/W 封装信息 * 封装类型：SOT23 * 引脚排列：G-D-S * 尺寸：TO-236 应用注意 * 在使用本器件时，请确保满足最大额定电压和电流要求。 * 在使用本器件时，请确保正确的焊接和安装方法。 * 在使用本器件时，请确保合适的散热措施。 CPH3414-TL-VB是一款高性能的N-Channel场效应MOS管，适用于各种高频开关电源和电机控制系统等应用场景。其高频特性和低电阻特性使其非常适合高频开关电源和电机控制系统等应用场景。