stm32F042F6P6 连续写入Flash hal库
时间: 2023-07-25 17:28:52 浏览: 57
在STM32F042F6P6上使用HAL库进行连续写入Flash,可以按照以下步骤进行操作:
1. 首先,需要初始化HAL库的flash模块。可以使用以下代码:
```c
FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
uint32_t SectorError = 0;
/* Unlock the Flash to enable the flash control register access *************/
HAL_FLASH_Unlock();
/* Erase the user Flash area
(area defined by FLASH_USER_START_ADDR and FLASH_USER_END_ADDR) ***********/
/* Fill EraseInit structure*/
EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
EraseInitStruct.PageAddress = FLASH_USER_START_ADDR;
EraseInitStruct.NbPages = (FLASH_USER_END_ADDR - FLASH_USER_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE;
if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &SectorError) != HAL_OK)
{
/*
Error occurred while page erase.
User can add here some code to deal with this error.
SectorError will contain the faulty sector and then to know the code error on this sector,
user can call function 'HAL_FLASH_GetError()'
*/
while (1)
{
}
}
```
这段代码会擦除flash中的用户区域,即从FLASH_USER_START_ADDR到FLASH_USER_END_ADDR之间的所有页。
2. 然后可以使用以下代码进行连续写入:
```c
uint32_t Address = FLASH_USER_START_ADDR;
uint32_t Data[100] = {0x12345678, 0x9abcdef0, ...}; // 写入的数据
uint32_t DataSize = sizeof(Data); // 写入数据的大小
for (uint32_t i = 0; i < DataSize; i += 4)
{
if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data[i/4]) != HAL_OK)
{
/*
Error occurred while writing data in Flash memory.
User can add here some code to deal with this error.
FLASH_ErrorTypeDef errorcode = HAL_FLASH_GetError();
*/
while (1)
{
}
}
Address += 4;
}
```
这段代码会将Data数组中的数据连续写入到flash中。
需要注意的是,使用HAL库进行flash读写需要先解锁flash,可以使用HAL_FLASH_Unlock()函数进行解锁,写入完成后还需要使用HAL_FLASH_Lock()函数进行锁定。同时,如果写入操作失败了,可以使用HAL_FLASH_GetError()函数获取错误码。此外,在连续写入时,需要使用一个循环,每次写入4个字节数据,直到全部数据都写入完成为止。