半導體物理的原理解析，一長形矽pn接面光二極體於T=300K時具有下列參數：Na=10^16cm^-3, Nd= 2 x 10^15cm^ -3, Dp = 10cm^2/s, Dn. = 25 cm^2/s, Tp0=10^-7s 及 Tn0=5*10^-7s . 此二極體的面積為A=10^-3cm^2 . 設有一逆偏5V 的電壓跨接於二極體，而二極體有電子一電洞對產生率為G=10^21 cm^-3s^-1 表現於整 個光二極體中。（a）求出光電流的即時成分；（b） 求出遠離接面的p型區及n型區中的穩態過量載子濃度；(C)決定出穩態的總光電流

这是一个比较复杂的问题，需要用到半导体物理学的知识和公式进行计算。下面是解答过程：

（a）根据光二极管的工作原理，当有光照射到 pn 结时，会产生电子和空穴对，形成光电流。根据题目中给出的数据，可以先计算出 pn 结的内建电场强度：

Vbi = kT/q * ln(NaNd/ni^2)
ni = sqrt(10^10 * T^3/2 * exp(-Eg/(2kT)))
Eg(Si) = 1.12 eV

其中，k 是玻尔兹曼常数，T 是温度，q 是电子电荷量，Na 和 Nd 分别是 p 型和 n 型区的掺杂浓度，ni 是本征载流子浓度，Eg 是硅的带隙能。

代入数据得到：

ni = 1.45 x 10^10 cm^-3
Vbi = 0.836 V

因为有逆偏电压，所以 pn 结的有效势垒高度为：

V0 = Vbi - 5 V = -4.164 V

根据 pn 结的I-V特性中的Shockley方程，可以计算出光电流的即时成分：

J = J0(exp(qV/kT) - 1) + G

其中，J0 是饱和漏电流密度，V 是 pn 结的电压。因为是逆偏，所以J0可以近似为0。代入数据得到：

J = G = 10^21 cm^-3 s^-1

（b）根据 pn 结的势垒理论，可以计算出距离 pn 接面的位置 x 处的载流子浓度：

n(x) = ni^2/Na * exp(qV(x)/kT)
p(x) = ni^2/Nd * exp(-qV(x)/kT)

其中，V(x) 是在 x 处的势垒高度，可以用以下公式计算：

V(x) = -V0 * exp(-x/L)

其中，L 是 pn 结的宽度。代入数据得到：

L = sqrt(2 * ε * ε0 * Vbi / (q * (1/Na + 1/Nd)))
ε(Si) = 11.7 ε0
L = 0.723 μm

然后可以计算出远离 pn 接面的 p 型半导体区和 n 型半导体区的稳态过量载流子浓度：

Δp_inf = Δn_inf = sqrt(G * Tp0 * Tn0/(Dp * Dn * A))

其中，A 是 pn 结的面积。代入数据得到：

Δp_inf = Δn_inf = 5.8 x 10^7 cm^-3

（c）根据光电流的定义，可以计算出稳态的总光电流：

J_total = J - J_dark

其中，J_dark 是在无光情况下的暗电流密度，可以用Shockley方程计算：

J_dark = J0(exp(qV/kT) - 1)

代入数据得到：

J_dark = 1.67 x 10^-14 A/cm^2

所以稳态的总光电流为：

J_total = J - J_dark = 9.92 x 10^6 A/cm^2

以上就是整个问题的解答过程，希望能对你有所帮助。