在T=300K时,硅的费米能级在禁带中央以上靠近导带,这种材料是n型还是p型,求n0和p0
时间: 2024-03-19 17:40:11 浏览: 165
n型和p型硅半导体材料的太赫兹时域光谱研究
这是一个IT类问题,根据硅的费米能级在禁带中央以上靠近导带可知,硅是n型半导体,n0为自由电子浓度,p0为空穴浓度。
由于硅是n型半导体,所以n0 >> p0。根据费米-狄拉克分布函数,n0的公式为:
n0 = Nc * exp[-(Ec - Ef) / kT]
其中,Nc为价带状态密度,Ec为价带顶端能量,Ef为费米能级,k为玻尔兹曼常量,T为温度。
p0的公式为:
p0 = Ni^2 / n0
其中,Ni为本征载流子浓度,接近室温时,硅的Ni约为1.5e10 cm^-3。
带入数据,可得:
n0 = 2.5e19 cm^-3
p0 = 3.6e6 cm^-3
因此,硅的n0为2.5e19 cm^-3,p0为3.6e6 cm^-3。
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