主存容量为1MB，用1Mb／片的 DRAM 芯片构成，芯片最大刷新周期为2 ms 。问在2ms之内至少应安排几个刷新周期？

1MB = 1024KB = 1024 x 1024B = 1048576B

1Mb = 128KB = 128 x 1024B = 131072B

因此，1MB 主存需要使用 8 片 1Mb 的 DRAM 芯片。

每片 DRAM 芯片的刷新周期为 2ms，因此所有芯片的刷新周期应该相同，否则会出现数据错误。因此，在 2ms 内，最多只能进行 1 次刷新。

每个 DRAM 芯片需要刷新的时间为：

131072B / 8B = 16384个刷新周期

因此，所有芯片都要完成 16384 个刷新周期后才能完成一次刷新。

至少需要安排 2 个刷新周期，因为在第一个刷新周期内，芯片只能完成一部分刷新，无法完成全部刷新。在第二个刷新周期内，芯片可以完成未完成的刷新。

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这是因为DRAM芯片的刷新是以行为单位进行的。每一行包含了多个存储单元，而行的数量是由DRAM芯片的地址线数决定的。在16K×1的DRAM芯片中，地址线数为14根，因此可以寻址2^14个不同的行。刷新时需要遍历所有的行来保持数据的稳定性，因此刷新操作是按照行的数量进行的，即2^14行，而不是按照存储器整体的大小来计算。因此，使用16K×1的DRAM芯片构成64K×8的存储器时，刷新操作需要按照16K的行进行，而不是按照64K进行。

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