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首页RS10N65F高压MOS管:10A 650V適應多应用场合
RS10N65F是一款高性能的N沟道MOSFET,采用无铅封装和镀层工艺,专为工业级应用设计,特别是在高电压和大电流场合表现出色。该器件的主要特点是低导通电阻(RDS(on))和低门极充电电荷,这使得它在开关电源、LED驱动以及小家电等电路中具有高效能的优势。 这款MOSFET的最大额定电压为650V,能够承受连续工作下的10A电流和脉冲峰值电流。其特性曲线展示了峰值电流与脉宽的关系,有助于设计师优化电路设计,确保设备的可靠性和稳定性。此外,RS10N65F符合RoHS规范,即限制了有害物质的使用,符合环保标准。 对于散热性能,给出了结温至环境温度的热阻值,以帮助用户了解在不同工作条件下如何进行适当的散热管理。最大功率耗散为50W,当温度超过25℃时,需考虑0.32的降额系数,以避免过热导致的永久性损坏。 安全方面,单脉冲雪崩能量(EAS)数据在特定条件下给出,如L=10mH、VDD=150V、RG=25Ω和TJ=25℃时,显示了器件在极端条件下的抗过载能力。同时,门极至源极电压范围为±30V,确保了足够的电气隔离。 订购信息包括型号RS10N65F、TO-220F封装形式和相关的标记信息。表格中还提供了绝对最大参数,如VDS、ID、ID@100℃、IDM等,以及一些重要的警告,强调超过极限条件可能导致设备损坏。 RS10N65F是一款针对高压应用的高性能MOSFET,适用于各种高电压和大电流的开关电源系统,尤其适合于LED驱动器和工业控制等场景。在设计和使用时,应充分考虑其特性和极限参数,以确保电路的稳定性和可靠性。
资源详情
资源推荐
RS10N65F
N Channel MOSFET
Lead Free Package and Finish
Applications:
•Adapter & Charger
ID VDSS
•SMPS Standby Power
10A 650V
•AC-DC Switching Power Supply
•LED driving power
Features:
•Low On Resistance
•Low Gate Charge
•Peak Current vs Pulse Width Curve
•RoHS Compliant
Ordering Information
Part Number Package Marking
RS10N65F TO-220F RS10N65F
Absolute Maximun Ratings Tc=25℃ unless otherwise specified
Symbol Units
VDSS V
ID
ID@ 100 ℃
IDM
W
W/℃
VGS V
EAS
mJ
*Drain Current Limited by Maximum Junction Temperature
Thermal Resistance
Symbol Units
Junction-to-Ambient
Copyright Reasunos http://www.reasunos.com REV:A3 Mar.2018 Page 1 of 9
Drain-to-Source Voltage (Note*1)
Pulsed Drain Current (Note*2)
650
Continuous Drain Current 10.0
Continuous Drain Current 5.5
RDS(ON)(Typ.)
0.68Ω
Parameter RS10N65F
Not to Scale
Gate-to-Source Voltage ±30
Single Pulse Avalanche Engergy
L=10mH VDD=150V RG=25Ω TJ=25℃
562
40.0
Power Dissipation 50
Derating Factor above 25℃
0.32
Caution:Stresses greater than those listed in the“Absolute Maximum Ratings”Table may cause permanent damage to
the device.
Parameter RS10N65F Test Conditions
Leads at 0.063in(1.6mm)from Case for 10
seconds
Package Body for 10 seconds
Drain lead soldered to water
cooled heatsink,PD
adjusted for a peak junction
temperature of +150℃.
RθJA
℃/W
Junction-to-Case
1.92
62.5 1 cubic foot chamber,free air.
RθJC
PD
TL
TPKG
A
℃
300
260
-55 to 150
Operating Junction and Storage
Temperature Range
TJ and TSTG
Maximum Temperature for Soldering
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